Intel 18A两大关键技术解析：RibbonFET搭配PowerVia如何提升芯片性能|英特尔_新浪财经

半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。年内即将亮相的Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。

那么Intel 18A为何如此重要？它能否成为助力英特尔重返全球半导体制程技术创新巅峰的“天命人”？RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术两大关键技术突破，会给出世界一个答案。

攻克两大技术突破实力出色

RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，是破除半导体芯片因漏电而导致普遍发热问题魔咒的关键。这一问题在芯片制程工艺不断进化的进程中，随着芯片密度不断攀升越来越普遍和严重，RibbonFET正是应对这一挑战的有效解决方案。

通过英特尔十多年来最重要的晶体管技术创新之一，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构，以垂直堆叠的带状沟道，提高晶体管的密度和能效，实现电流的精准控制，在实现晶体管进一步微缩的同时减少漏电问题发生。

与此同时，RibbonFET还能提高每瓦性能、最小电压（Vmin）操作和静电性能。无论在何种电压下，都能提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快，从而实现了晶体管性能的进一步提升。RibbonFET 还通过不同的带状宽度和多种阈值电压（Vt）类型提供了高度的可调谐性，为芯片设计带来了更高的灵活性。

晶体管作为半导体芯片最为关键的元件，会直接对性能产生影响。在日常应用中，我们格外关注PC处理器的散热问题，积热造成的处理器频率下降是影响性能体验最为直观的因素。而半导体芯片性能提升又与晶体管密度关系密切，不断缩小的芯片面积与不断增加的晶体管密度看似是一组矛盾因子，因此需要RibbonFET全环绕栅极晶体管这样的技术突破来冲破壁垒，确保更高晶体管密度下的性能释放不被电流和温度所影响。

Intel 18A另一项关键技术突破是PowerVia背面供电技术。

英特尔率先在业内实现了PowerVia背面供电技术，再次革新了芯片制造。随着越来越多的使用场景都需要尺寸更小、密度更高、性能更强的晶体管来满足不断增长的算力需求，而混合信号线和电源一直以来都在“抢占”晶圆内的同一块空间，从而导致拥堵，并给晶体管进一步微缩增加了难度。

PowerVia背面供电技术应运而生，通过将粗间距金属层和凸块移至芯片背面，并在每个标准单元中嵌入纳米级硅通孔 (nano-TSV)，以提高供电效率。这项技术实现了ISO功耗效能最高提高4%，并提升标准单元利用率5%至10%。

在两大核心技术的支持下，Intel 18A将实现芯片性能、密度和能效的显著提升。

与Intel 3制程工艺相比，Intel 18A的每瓦性能预计提升15%，芯片密度预计提升30%，这些改进不仅为英特尔自身产品提供了强大的性能支持，更将为诸多领域的未来创新应用奠定坚实的技术基础。从医疗影像诊断到智能交通的精准调度，助力整个科技产业迈向新的高度。

应对多元应用场景，优势尽显

当前的AI原生时代下，对于高性能计算（HPC）、复杂的AI训练和推理任务等这类需处理海量数据(15.230, -0.52, -3.30%)、进行复杂运算，对性能要求近乎极致的应用场景对能效与性能有着严苛需求，PowerVia和RibbonFET两项技术突破能够为不同场景提供更加高效、稳定的技术支撑。