IC-V视野 | 集成电路行业一周资讯回顾（2024.12.16-2024.12.22）|芯片_新浪财经

宏观&政策

起诉美国国防部后，中微公司被移出“涉军清单”

当地时间12月17日，美国联邦公报官网最新发布的文件显示，美国国防部已于12月13日将国产半导体设备大厂中微公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG资本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）从中国军事企业清单（CMC清单或1260H清单）中移除。

资料显示，在今年2月1日，美国国防部网站发布公告称，以2021财政年度国防授权法案（National Defense Authorization Act，NDAA）1260H节的法定要求为基础，针对在美国直接或间接营运的“中国涉军企业”（Chinese military companies）名单进行了更新，新增了11家中企，其中就包括中微公司。

随后在今年8月16日，中微公司宣布，已向美国法院正式提交诉状，起诉美国国防部将其列入中国军事企业清单（CMC)的决定。

中微公司强调，公司一贯坚持合法、合规经营，严格遵守国内和国际法律法规，从未参与任何与军事相关的活动。

在正式起诉美国国防部4个月之后，中微公司终于迎来被移出“中国军事企业清单”的好消息。

值得注意的是，与中微公司同一批被美国国防部列入该清单的禾赛科技在今年5月也对美国国防部起了诉讼，指责其没有足够证据将公司列入黑名单，并认为此举是“武断且反复无常”的。今年8月，美国国防部决定将禾赛科技从“中国军事企业清单”名单中移除。然而仅2个月之后，美国国防部又将禾赛科技重新列入了“中国军事企业清单”名单。对此，禾赛科技表示，将继续起诉美国政府。

更早之前的2021年，小米公司也曾被美国国防部列入该清单，随后也是通过起诉美国国防部被成功移出该清单。（集成电路前沿）

企业动态

兆易创新：收购苏州赛芯70%股权完成过户

12月18日，兆易创新发布公告，宣布与石溪资本、合肥国投、合肥产投共同收购苏州赛芯电子科技有限公司70%的股权，交易价格为5.81亿元。其中，兆易创新以3.16亿元收购约38.07%的股份，成为苏州赛芯的控股股东。

苏州赛芯是一家专业的集成电路设计企业，主营业务为模拟芯片的研发、设计与销售，产品包括锂电池保护芯片、电源管理芯片等。其产品在智能穿戴设备、电子烟、移动电源等领域应用广泛，并已在多个知名品牌产品中得到应用，产品年销量突破10亿颗。

兆易创新与苏州赛芯在技术、产品、市场、销售与供应链等层面存在较强的战略协同性。收购完成后，双方将强化协同合作，发挥规模优势，提升盈利能力。同时，兆易创新可通过此次交易扩展公司模拟产品品类，增加盈利能力，提升客户粘性，提高市场覆盖度，符合公司整体发展战略规划。

兆易创新还向苏州赛芯提供1.3亿元的借款，专项用于归还银行贷款，解除土地及在建工程的抵押，以便于苏州赛芯在本次收购前能够顺利剥离其所拥有的土地及在建工程。（芯榜）

投资近100亿！格力碳化硅芯片工厂建成投产

12月18日消息，格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了。据董明珠介绍，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。

据报道，格力芯片工厂是一座投资近百亿元建设的碳化硅芯片工厂。该项目于2022年12月开始打桩建设，2023年4月开始钢结构吊装，当年10月设备移入，12个月实现通线。项目规划占地面积600亩，包含芯片工厂、封测工厂以及配套的半导体检测中心和超级能源站。值得一提的是，该项目关键核心工艺国产化设备导入率超过70%，据称是全球第二组、亚洲第一座全自动化第三代半导体芯片制造工厂，同时，成为全球首个导人全自动缺陷检测方案的碳化硅芯片制造工厂。近年来，格力持续加码在芯片领域的布局。2012年，格力建设全国第一条国产化IPM功率模块线；2018年，其成立珠海零边界集成电路有限公司；同年格力电器与长安汽车等8家企业合资成立湖南国芯半导体科技有限公司；

2019年，格力斥资30亿入股闻泰科技参与完成安世半导体的收购；2020年，格力电器入股三安光电；2022年成立格力电子元器件有限公司。目前，格力在芯片领域已形成较完整的产业布局。（宽禁带半导体技术创新联盟）

国内芯片公司，扎堆IPO！

本周内，多家公司披露了IPO新进展，仅半导体领域就有英韧科技、晶存科技、禾润电子、卓海科技、英诺赛科、强一股份等多家公司上市进程迎来新的阶段。

12月18日，英诺赛科在港股披露文件显示，公司于2024年12月18日正式开启港股IPO股票发售，至2024年12月23日截止，股票代码为2577，预计募资13.4亿港元-15.27亿元。

12月17日，证监会披露了中信建投证券关于强一半导体(苏州)股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导工作完成报告。该公司是全球少数掌握成熟垂直探针技术的公司，也是国内目前唯一实现MEMS探针卡批量产业化的公司，当前生产的探针密度已达到数万针，能够完成45um间距测量，精度达到约7um，产品已经能够满足以海思麒麟芯片为代表的7nm高端SoC芯片的测试需求。（天天IC）

成立14年后，北京知名SiC企业破产清算

据第三代半导体12月18日消息，近日，根据破产资产网披露，2024年12月9日，北京世纪金光半导体有限公司管理人发布了《北京世纪金光半导体有限公司管理人公开选聘审计、评估机构的公告》。

根据世纪金光公司向北京市第一中级人民法院提交的《情况说明》记载，截至2024年9月世纪金光公司账面资产总额为512,202,251.84元，账面负债总额为527,970,227.74元，账面所有者权益为-15,767,975.90元。

此外，根据2024年11月19日，北京市第一中级人民法院发布了民事裁定书【（2024）京 01 破申 1253 号】显示，申请人曹某以被申请人世纪金光不能清偿到期债务且明显缺乏清偿能力为由，向本院申请对该公司进行破产清算。本院依法通知了世纪金光公司，该公司同意破产。

世纪金光官网信息显示，北京世纪金光半导体有限公司是一家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业，是致力于第三代半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。公司成立于2010年12月，位于北京经济技术开发区。其前身为中原半导体研究所，始建于1970年，至今有50年历史积淀。

从业务进展披露来看，世纪金光碳化硅6英寸单晶已量产；功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管（SBD），额定电压650-1200V、额定电流20-100A的金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。

世纪金光官方微信公众号最新更新日期为2023年3月，当时世纪金光发布了《需求|关于6英寸碳化硅晶圆通线项目邀请公告》。自此，该账号停更。（今日芯闻）

前沿技术

南大团队在国际电子器件大会发布1nm节点二维半导体晶体管

近日，第70届国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）在美国旧金山举行，本届会议的主题是“塑造未来的半导体技术”（Shaping Tomorrow's Semiconductor Technology），旨在展示微电子器件领域的最新原创工作。集成电路学院王欣然教授领导的南京大学-苏州实验室-华为海思联合团队在会议上发布了“将二硫化钼晶体管微缩至1纳米节点”（Scaling MoS₂ transistors to 1 nm node）的最新研究成果。

二维半导体是全球学术界和产业界公认最具希望的后摩尔集成电路非硅新材料之一，被国际器件与系统路线图（IRDS）明确为1nm及以下节点的沟道材料。当前，该领域正处于从基础研究向产业应用过渡的关键阶段，为我国集成电路赛道转换和技术超越提供了机遇。集成电路制程“节点”是由晶体管接触栅间距（CGP，包括沟道长度+接触长度+2×栅源间隔长度）定义的，根据IRDS，1nm节点晶体管CGP必须缩小至40nm，超越了硅基CMOS器件尺寸微缩极限。

1nm节点MoS₂晶体管。a. 集成电路晶体管CGP的演变趋势。b-c. 1nm节点MoS₂晶体管的剖面STEM和EDS表征。d-e. 1nm节点MoS₂晶体管的转移曲线和输出曲线，展现优异的电学特性。f.与IRDS 1nm节点晶体管的性能-尺寸对比。

为突破1nm节点晶体管器件，团队在前期二维半导体材料和接触技术重大原理突破的基础上（Nature Nanotech. 16, 1201 (2021), Nature 613, 274 (2023)），从产业需求出发，开发出高纯度半金属欧姆接触外延沉积工艺，突破了极限尺寸下接触电阻记录，在20nm接触长度下实现接触电阻小于100Ω·μm。结合亚20nm超短沟道，在国际上首次成功研制出CGP为40nm的高性能MoS₂场效应晶体管，在0.6 V源漏偏压下具有0.79 mA/μm的高驱动电流，大于10⁷的开关比，小于10 pA/μm的关态电流，62 mV/dec的亚阈值斜率和12mV/V的漏致势垒降低效应。该器件在性能-功耗-尺寸（PPA）关键指标上满足了1nm节点技术要求，充分展示出二维半导体在先进制程集成电路中的技术潜力。进一步的TCAD模型仿真预测，四层堆叠MoS₂ 纳米片晶体管与1nm节点的 Si CMOS 相比，可将栅极延迟减少 46.6%，展示出二维半导体在路线图终点的卓越缩放潜力。该成果与英特尔、台积电、三星等产业巨头的最新成果同台发布，是本届大会二维半导体器件分会中国大陆唯一入选的研究成果（IEEE IEDM, 24.7, 1-4）。（南京大学集成电路学院）