一汽红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功

一汽红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功
2024年10月24日 17:04 长春发布

近日,由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器样件开发成功。相关产品与技术可助力电动汽车补能系统向超高压平台升级,极大缩短充电时间。

该超高压功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片,创新采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术,经过测试,器件工作的最高母线电压可达1200V。与此同时,该超高压功率器件结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等先进技术,可在超高压平台可充分发挥低损耗与高电流输出综合性能优势,有效提升动力系统的功率密度和效率,能够在高压、高温下稳定高效运行,保证用户驾驶动力体验,最大程度节约整车电耗,提升续驶里程。

据介绍,该技术的成功开发将有力解决用户在驾乘时面临的充电焦虑和里程焦虑,丰富了一汽红旗前瞻技术储备,为未来红旗产品适应“千伏”以上高压架构落地、实现5分钟快速补能奠定了坚实基础。

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