文|半导体产业纵横
2月,DRAM价格下跌3%。
半导体存储器1月份DRAM的下跌趋势明显。2月份指标产品的大宗交易价格比上月下跌3%,存储器制造商与需求方的谈判以连续6个月降价达成协议。
DRAM是插入PC、智能手机和数据中心服务器设备等、用于临时存储数据的存储器。大宗交易价格由作为卖方的存储器制造商和作为应答的设备制造商和模组制造商按月或季度决定。
从2月份的大宗交易价格来看,作为指标的8GB DDR4为每张1.70美元左右。容量较小的4GB产品在1.30美元左右,两者均比上月下降3%。价格连续6个月环比下降,创2023年12月以来的最低水平。
DRAM被认为约50%用于个人电脑和数据中心的服务器设备,约35%用于智能手机。以面向个人的产品为中心,电脑和智能手机的需求下降,影响了DRAM的价格。
研究机构对8家相关企业进行采访后发现,很多观点认为“对卖家来说,没有能够替代中国的市场,再加上受到低价的中国产品影响,价格正在下降”。关于接下来的DRAM价格,企业认为可能要到下半年才会上涨的观点居多。
进入3月,NAND市场已经迎来初步复苏。近日,全球知名存储芯片厂商闪迪向客户发出涨价函,宣布自 4 月 1 日起,旗下产品将全面涨价,整体涨幅超 10%,此次调价覆盖所有渠道及消费类产品。闪迪还透露,将持续审查定价,后续季度或有额外涨幅。
继闪迪后,美光、三星、SK海力士等NAND厂商也计划将于4月涨价。
从供应方面,美光今年新加坡NAND厂发生停电,也影响了供货。NAND Flash控制芯片厂商群联也透露,公司2024年12月已向美光下单采购,但近期却出现交货不足的问题。美光也在日前打出通知,将针对新订单提高报价,价格平均涨幅约11%。
三星与SK海力士此前已在着手减产,导致今年第一季度产量较2024年下半年(季度)供应减少10%以上。有行业厂商表示,三星在3月的交货量仅有原先订单的20%-25%水平,虽然业务端理由是产能供货吃紧,但“实际上酝酿涨价的动作明显”,需等待4月后才能顺利拿货,预计三星和SK海力士NAND价格将上调约10%或以上。
尽管当前整体存储市场还不明朗,但随着终端库存消耗,2025年存储市场有望实现正向增长。CFM闪存市场数据显示,在AI服务器的强劲需求带动下,2024年,全球DRAM和NAND闪存销售收入创1670亿美元的历史新高,比上一年涨85.53%,但去年第四季度,全球NAND闪存规模却减少8.5%,至174.1亿美元。预计2025年,全球存储市场产值预计仅实现2%的微幅增长。
以高带宽内存(HBM)和新一代DDR5内存芯片为代表的AI存储产品正在成为市场的“新宠”。
今年下半年,AMD、英特尔和英伟达等主要科技公司将发布新产品,预计将进一步推动对服务器DDR5的需求。AMD已于第二季度开始量产其CPU Turin,而英特尔也计划在同一时期发布新款CPU Granite Rapids。英伟达计划在6月之后推出B300和GB300图形处理器(GPU),预计将增加服务器公司的订单。
其中HBM更是成为2025年的“红人”。闪存市场总经理邰炜在MemoryS 2025上表示,AI浪潮下,计算平台正从CPU转移到以GPU/NPU为中心,存储芯片需求也将增长,因此HBM高带宽存储在AI时代中得到广泛应用,目前HBM在DRAM存储行业占比已接近30%,今年还会继续增长,尤其2026年HBM4将会推动行业更多定制化需求。
随着存储器市场供需曲线逐渐平衡,三星电子、SK海力士等存储器半导体龙头企业也出现利好迹象。三星证券研究员Lee Jong-wook表示乐观,“第二季度,一般(存储器)产品的悲观情绪将转为更加乐观的方向,利润也将上调”。
据悉,SK海力士、三星电子和美光在全球存储芯片市场中占据着近90%的份额。从TrendForce的统计数据来看,SK海力士在2023年获得了53%的市场份额,成为HBM的市场领军者,三星和美光分别占据38%和10%的份额。更值得关注的是,SK海力士的财报显示,其在过去一年中,得益于HBM产品线,实现了102%的营收增长,并创下历史新高。


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3、短线有增仓2个组合,基本上长线组合没变化,好几天没有交易了,静等大级别调整之后的布局。短线组合昨天是55%的仓位,酱油股大跌没给机会出来,还在持有,早上跌停又买了一只算力10%的仓位,下午差点干到涨停吃个地天板,仓位就上到了65%。大级别末端只能发挥短线的作用,因为不格局,随时可以撤,这里长线和ETF没办法布局,长线需要格局的。