2025 年 8 月 27 日，杭州士兰微电子股份有限公司（简称 “士兰微”）召开 2025 年半年度业绩说明会，董事会秘书兼财务负责人陈越就公司下游市场供需、车规级产品布局、产能利用率、AI 产业布局及 SiC（碳化硅）技术进展等核心问题与投资者深度交流，释放出多维度业务发展积极信号。
下游市场：汽车与白电旺季驱动产销紧平衡，消费工业需求稳中有续
针对下半年各应用领域供需状况，士兰微明确表示，第四季度将迎来汽车与白电市场传统旺季，公司届时将处于产销紧平衡状态，相关产品线产能利用效率有望进一步提升。而消费电子与工业领域需求则预计延续上半年运行态势，整体保持稳定，为公司业务提供基础支撑。
车规级市场 “刚起步”：多品类产品领跑，成长空间显著
面对 “车规级市场是否见顶” 的疑问，士兰微给出明确回应 —— 对公司而言，大部分车规级产品市场才刚刚开启，多品类产品已实现 “领跑者” 地位，成长潜力十足：
IGBT 领域：IGBT 主驱（含成品模块与芯片）已占据较大市场份额，后续 SiC 模块将成为核心增长极；IGBT 单管在车载 OBC（车载充电机）、压缩机、热管理领域表现突出，仍有广阔成长空间。
MOSFET 领域：中低压 SGT-MOSFET 广泛应用于油泵、刹车、助力转向等车载场景，公司是国内车用 MOSFET 出货量最大的企业之一。
模拟电路领域：车载隔离驱动、预驱、低边驱动、高边驱动及 E-FUSE 等产品已进入客户量产或评测阶段，商业化进程加速，成为车规业务新增长点。
产能利用率表现亮眼：多尺寸硅线满负荷，SiC 产能逐步释放
关于各产线运营情况，士兰微披露，目前 5 吋、6 吋、8 吋、12 吋硅基产线已完全满载，LED 产线及成都封装产线亦基本实现满产，产能利用效率处于高位。
在 SiC 这一关键赛道，6 吋 SiC 产线当前实际月产量虽小于 5000 片，暂未出现供不应求，但产能已接近设计规划；更值得关注的是，8 吋 SiC 产线计划于2025 年底通线，并将尽快跑出可评价产品，为后续与车企深化合作、扩大市场份额奠定基础。同时，公司 II 代与 IV 代 SiC 芯片正顺利推进客户推广，其中 IV 代 SiC 芯片技术处于行业先进水平，将强化公司在宽禁带半导体领域的竞争力。
锚定 AI 机遇：功率器件与模拟电路精准布局
谈及人工智能产业前景，士兰微认为 “AI 发展不可限量”，并已针对性布局核心产品以捕捉产业红利：在功率器件领域，重点推进高压硅 MOSFET、SiC-MOSFET、低压 SGT-MOSFET、硅基 GaN-HEMT 器件等；在高性能模拟电路领域，DrMOS、多相电源控制器、E-Fuse 等产品已完成技术储备，可满足 AI 相关设备对高效能、高可靠性元器件的需求。
MEMS 业务拓展顺利：六轴惯性传感器打入主流手机品牌
在 MEMS（微机电系统）业务方面，士兰微透露，其 MEMS 惯性传感器已进入国内几家主要品牌手机供应链，涵盖使用与评测环节。产品迭代方面，公司此前以纯三轴加速度计为主，自 2024 年下半年起已实现六轴惯性传感器（三轴加速度计 + 三轴陀螺）量产，进一步丰富了产品矩阵，提升了在消费电子传感器市场的话语权。
此次业绩说明会显示，士兰微在车规级半导体、宽禁带半导体（SiC）、MEMS 等核心赛道均已建立竞争优势，叠加产能高效利用与 AI 产业布局，公司下半年及长期发展动力充足，有望持续受益于半导体行业结构性增长机遇。
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