三维晶体管发展将减少光刻依赖

近日，据一份来自某投资研究平台披露的访谈内容显示，一位不愿具名的英特尔高管就未来晶体管结构的发展趋势发表看法。他指出，随着新型晶体管设计的不断演进，芯片制造将逐渐减少对高端光刻设备的依赖，而刻蚀工艺的重要性将进一步提升。

目前，在芯片制造过程中，光刻环节主要依赖于特定厂商的极紫外（EUV）和高数值孔径（High NA）光刻设备，将电路图案转移到晶圆上。随后，在后处理阶段，通过沉积和刻蚀等工艺逐步构建晶体管结构。

该高管提到，随着全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）以及互补场效应晶体管（CFET）等三维晶体管结构的推进，光刻在整个制造流程中的作用或将减弱。这些新结构需要实现栅极从多个方向对晶体管进行包裹，因此横向去除多余材料成为关键技术环节。“未来制造商将更关注如何通过刻蚀来精准去除材料，而不是一味延长光刻机的使用时间来追求特征尺寸的缩小。”他解释道。

现阶段，主流的鳍式场效应晶体管（FinFET）通常在晶体管底部设置绝缘层，使电流能由栅极进行控制。相较之下，GAAFET 和 CFET 代表了更为复杂的三维设计：GAAFET 中的栅极完全包裹晶体管，并呈平行排列；CFET 则采用晶体管垂直堆叠的方式，大幅节省晶圆空间。

该高管进一步表示，由于三维结构能够在平面和垂直方向上同时实现高密度集成，芯片制造将不再过度依赖最小特征尺寸的进步。这意味着，尽管高数值孔径光刻技术仍将是先进制程的一部分，但其在整体工艺中的关键性可能会低于当前极紫外光刻设备在7纳米及以下技术节点中的地位。