近日，SK海力士宣布正在研发基于321层堆叠4D NAND闪存的全新UFS 4.1智能手机存储解决方案，并计划于2026年第一季度推出。该产品将显著提升手机在数据存储方面的性能表现。
这款新型存储芯片的厚度仅为0.85毫米，相较此前238层堆叠版本的1.0毫米减少了15%，同时依然可实现最高达4.3GB/s的持续读取速度，超越当前主流PCIe 3.0固态硬盘的性能水平。
在随机读写能力方面，新产品也有明显进步，其中随机读取性能提升了15%，写入性能则提高了40%。这种增强对于智能手机频繁处理小文件的应用场景更为有利，但具体数值尚未公布。
此外，在能耗控制方面，新款存储芯片的能效也提升了7%，有助于改善设备的电池续航表现。不过该数据同样未提供详细说明。
尽管堆叠层数有所增加，但该存储方案目前仍提供512GB和1TB两种容量选择，尚未进一步提升总容量。
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