在近日举行的 2025 年英特尔代工大会上，英特尔展示了其 2.5D 先进封装技术 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）的最新进展。这一系列技术更新包括全新变种 EMIB-T，以及采用 RDL（重布线层）与 Bridge（桥片）结构的 Foveros-R 和 Foveros-B 封装方案。
据现场发布的资料及拍摄内容显示，EMIB-T 中的“T”应代表 TSV（硅通孔）。这项新技术为高带宽内存 HBM4 和 UCIe 芯片集成提供了解决方案，通过在封装基板中引入 TSV 与 M Bridge 实现垂直供电通道，改变了传统路径中信号绕行的设计局限，从而有效降低直流与交流电噪声，提升传输稳定性。
英特尔强调，EMIB-T 支持从其它 2.5D 封装技术平滑迁移，且迁移过程中无需进行大幅重新设计，有助于降低开发难度和成本。
此外，英特尔还展望了未来 EMIB 技术的发展蓝图。预计至 2026 年，新方案将借助超过 20 个 EMIB 桥实现约 120mm×120mm 的封装尺寸，并支持多达 12 个 HBM 内存堆栈。到 2028 年，封装面积有望进一步拓展至 120mm×180mm，可容纳超过 24 个 HBM 堆栈，为高性能计算提供更加强劲的支持能力。
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