台积电推1.4nm 技术：第2代GAA晶体管，全节点优势2028年推出

台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。

“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总裁兼副首席运营官 Kevin Zhang 说。“如果你看一下速度，[与 N2 相比] 的增强高达 15%，功耗降低 30%，逻辑密度是整体芯片密度的 1.23 倍，或者至少是 [混合设计] 的 1.2 倍。所以，这是一项非常非常重要的技术。

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（图片来源：台积电）

TSMC 的 A14 是全新的工艺技术，基于该公司的第 2 代 GAAFET 纳米片晶体管和新的标准单元架构，以实现性能、功耗和扩展优势。与 N2 相比，台积电预计其 A14 将在相同的功率和复杂性下提供 10% 到 15% 的性能提升，在相同的频率和晶体管数量下将功耗降低 25% 到 30%，晶体管密度（分别用于混合芯片设计和逻辑）提高 20% - 23%。由于 A14 是一个全新的节点，因此与 N2P（利用 N2 IP）以及 A16（具有背面供电的 N2P）相比，它将需要新的 IP、优化和 EDA 软件。

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*TSMC 公布的芯片密度反映了由 50% 逻辑、30% SRAM 和 20% 模拟组成的“混合”芯片密度。

**在同一区域。以相同的速度。

（图片来源：台积电）

“该技术还具有我们的 [...]NanoFlex Pro 技术，[实际上是] 设计技术协同优化 （DTCO），允许设计人员以非常灵活的方式设计他们的产品，使他们能够实现最佳的功率性能优势，“Zhang 说。“这项技术将于 2028 年投入生产。这项技术的第一个版本没有背面电源轨。

当然，台积电了解其开发高性能客户端和数据中心应用的客户的需求，因此它计划在 2029 年提供具有 SPR 背面供电的 A14。目前，该公司尚未透露该工艺技术的确切名称，但有理由预期它将按照台积电的传统命名法被称为 A14P。展望未来，预计 A14 有时会在 2029 年之后获得其最高性能 （A14X） 和成本优化 （A14C） 版本。

TSMC A14 系列工艺技术的主要优势之一是该公司的 NanoFlex Pro 架构，这将使芯片设计人员能够微调晶体管配置，从而为特定应用或工作负载实现最佳功率、性能和面积 （PPA）。使用非 Pro FinFlex，开发人员可以在一个模块中混合和匹配来自不同库（高性能、低功耗、面积效率）的单元，以优化性能、功耗和面积。台积电尚未披露区分 NanoFlex 和 NanoFlex Pro 的明确技术细节，因此我们只能想知道新版本是否允许对单元甚至晶体管进行更精细的控制，或者它是否会提供更好的算法和软件增强功能，以便更快地探索和优化晶体管级权衡。

台积电的目标是 2028 年在其 A14 工艺技术上生产芯片，尽管它没有提及它是否会在今年上半年或下半年开始在 A14 上进行大批量生产。考虑到 A16 和 N2P 将在 2026 年下半年（即 2026 年底）启动 HVM，芯片将于 2026 年上市，我们感觉 A14 的目标是 2028 年上半年——有望在下半年为客户端应用程序提供服务。