台积电3nm工艺再升级：N3P已量产，N3X下半年投产

4月24日消息，除了持续推进N2、A16、A14等基于GAAFET全环绕晶体管的新工艺研发外，台积电也在不断挖掘传统FinFET立体晶体管的潜力。目前，其第三代N3系列工艺节点仍在持续演进。

在近期于美国举行的2025年技术论坛上，台积电宣布，3nm级工艺的第三代版本N3P已在2024年第四季度进入量产阶段，而第四代N3X则计划在今年下半年投产。N3P作为N3E的升级版，主要面向高性能需求的客户端和数据中心应用，同时保持IP与设计的兼容性。

根据官方数据，N3P在相同功耗下性能可提升约5%，在相同性能下功耗可降低5-10%。此外，晶体管密度提升了4%，尤其是SRAM缩放能力得到了显著优化。当前，苹果M3、高通骁龙8至尊版以及联发科天玑9400/9400+等产品均采用N3E工艺。然而，今年的升级换代是否会全面转向N3P，或者直接跳至N2，仍需拭目以待。

N3X则是N3P的进一步升级版，能够在相同功耗下将性能再提升5%，或在相同性能下将功耗降低7%。更值得关注的是，N3X支持高达1.2V的电压，从而实现更高的频率和性能极限。不过，这一特性也带来了漏电率显著增加的问题，最大增幅可达250%。因此，在芯片设计过程中需要格外谨慎。

根据台积电的路线图，明年N3工艺还将推出N3A和N3C两个版本。尽管具体细节尚未公布，但从定位来看，N3C可能是面向超低成本市场的解决方案。值得一提的是，N3工艺还存在一个特殊版本N3B，但其性能和成本表现并不理想，目前仅有一家大客户——某国际半导体巨头在使用该工艺，相关产品包括Lunar Lake和Arrow Lake系列。