2月28日消息，SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。
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LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。这一技术突破预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机中，使其在本地运行密集型操作时消耗更少的电量，从而满足设备制造商对高效能、低功耗的需求。业内人士推测，SK海力士最快将于年内推出LPDDR5M产品。
与此同时，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的研发也取得了重要进展。目前，SK海力士已进入12层堆叠HBM4的试产阶段，良品率从去年底的60%提升至70%。
这一进展得益于其采用了1β（b）nm（第五代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，该工艺在性能和稳定性方面已得到充分验证，并将同样应用于HBM3E产品的生产中。
根据计划，SK海力士将于2025年6月向英伟达提供HBM4样品，以支持其Rubin架构产品的需求。此外，SK海力士预计在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，并于2025年第三季度进入全面供应阶段，进一步巩固其在高端内存市场的领先地位。
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