传三星将采用长江存储专利技术 用于下代V-NAND闪存

消息表明三星有望从其第10代NAND开始采用长江存储的专利混合键合技术。

此前消息表明，长江存储已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层，使用了Xtacking 4.0架构，成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度。尽管长江存储此前并未公开披露新架构以及新款闪存的信息，但是目前已经正式上市开售的新款致态TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已经确认搭载该款新架构闪存，也成为了国产存储的里程碑时刻。而据外媒消息表明，三星有望从其第10代NAND开始采用长江存储的专利混合键合技术。

长江存储四年前率先将“晶栈（Xtacking）”架构混合键合技术应用于3D NAND闪存，伴随着技术发展，长存也在这一技术上积累了大量专利。三星在之前的NAND闪存里采用了COP（Cell-on-Periphery）结构，将外围电路放在一块晶圆上，然后单元堆叠在上面，不过当层数超过400层时，下层外围电路的压力会影响可靠性。改用混合键合技术后，消除了对凸块的需求，缩短了电路，从而提高了性能和散热性。

三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。据了解，目前Xperi、长江存储、以及台积电拥有大多数混合键合技术的专利。三星之所以选择与长江存储合作，很大程度上是因为接下来的第11代和第12代V-NAND闪存都很难绕过后者的专利，SK海力士可能面临相同的处境。