信号重分布：
芯片内部的输入输出（I/O）通常位于芯片的边缘，但在某些封装方式（如BGA或CSP）中，需要将这些信号重新布线到芯片的特定位置，便于外部引脚连接。
实现多点连接：
提供灵活的布线方案，使得信号可以从芯片的任何区域引出到封装的目标区域。
支持高级封装技术：
如倒装芯片（Flip Chip）和晶圆级封装（WLP），RDL 是实现这些技术的关键。
RDL 通常由以下部分组成：
绝缘层：例如聚酰亚胺（Polyimide）或其他介电材料，作为RDL的基础层，用于隔离下层电路。
金属布线：常用材料为铜（Cu）或铝（Al），用于将信号从一个点引导到另一个点。
顶层保护层：用于保护RDL布线，防止环境影响或机械损伤
倒装芯片封装（Flip Chip）：RDL 将芯片的I/O信号从外围重分布到中央，以便与封装基板上的焊球对齐。
晶圆级封装（WLP）：在晶圆级封装中，RDL用于将芯片的信号重新布线到适合外部连接的位置。
多芯片集成（SiP）：在系统级封装（System-in-Package）中，RDL有助于在多芯片模块中实现信号互连。
RDL 的制造过程通常包括以下步骤：
绝缘层沉积：在芯片表面涂覆一层介电材料。
光刻：定义布线的图形。
金属沉积：通过电镀或溅射的方法在绝缘层上沉积金属材料。
刻蚀：移除多余的金属，形成布线图案。
表面处理：为后续焊接做好准备，例如添加焊盘或焊球。
提高芯片的I/O灵活性。
支持小型化和高密度封装。
降低芯片与封装基板之间的连接损耗。
工艺复杂度较高，增加了制造成本。
布线密度和可靠性需与先进制程相匹配。
RDL 是现代芯片封装技术中的关键部分，广泛应用于高性能、紧凑型和多功能芯片封装中。随着先进封装技术的发展（如3D IC和异构集成），RDL的重要性和复杂性也在不断增加。
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