Micron Technology 已开始在新加坡建设其价值数十亿美元的高带宽内存 封装设施。该公司将向该工厂投资 70 亿美元，因为预计在 AI 热潮中，未来几年对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施将于 2026 年开始运营。
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美光的高带宽内存 （HBM） 封装设施位于美光在新加坡现有的生产 3D NAND 和 DRAM 的晶圆厂旁边。新的 HBM 装配厂将于 2026 年投产，并计划在 2027 年大幅提高产能。该设施将使用先进的人工智能驱动的自动化来提高运营效率，但该公司没有透露人工智能将在何处以及如何使用。
虽然美光凭借优质 HBM3E 内存引领行业，但在 HBM 市场份额方面，与三星和 SK 海力士相比，该公司仍处于劣势。在某种程度上，这是由于美光没有韩国竞争对手那样庞大的 DRAM 制造能力（而 HBM 内存芯片比传统内存 IC 占用更多的容量）。然而，在某种程度上，这可以归因于缺乏庞大的 HBM 组装能力。
美光正在逐步增加其现有设施的 HBM3E 产量，希望在 2025 年年中抢占 20% 的 HBM 市场份额。然而，随着新的新加坡组装厂于 2026 年上线，该公司希望获得更大的市场份额。
“随着 AI 在各行各业的普及，对高级内存和存储解决方案的需求将继续强劲增长，”美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示。“在新加坡政府的持续支持下，我们对 HBM 先进封装工厂的投资加强了我们应对未来不断扩大的 AI 机会的地位。”
虽然新设施将为组装 HBM 堆栈量身定制，但它也可用于组装 3D NAND 封装，因为硅通孔 （TSV） 的组装技术通常相似。
该项目最初将创造约 1,400 个工作岗位;扩建可能会将这个数字增加到 3,000 人。这些角色将包括包装开发、组装和测试操作。
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