台积电2nm工艺取得重要进展，良率达标预示量产在即

【TechWeb】媒体报道指出，台积电在台湾省新竹宝山工厂的2nm工艺试产已经取得了显著成果，良率达到了60%，这一数字超出了公司内部的预期。此外，台积电计划在明年上半年在高雄工厂启动2nm工艺的试产工作。

据悉，批量生产芯片的代工厂通常需要70%甚至更高的良率才能保证效率。台积电目前的进展表明，在2nm工艺大规模量产之前，公司有足够的时间将良率提升至量产标准。

随着2nm时代的到来，晶圆的价格也出现了显著上涨。消息人士透露，2nm晶圆的价格已经超过了3万美元，而目前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间。这一对比显示，2nm工艺的价格将会大幅提升。

台积电的订单报价包含了多种因素，与具体客户和订单量有关，因此部分客户可能会获得一定的优惠。目前3万美元的价格只是一个大致的数字。

公开报道显示，自2004年台积电推出90nm芯片以来，晶圆报价经历了显著的增长。从90nm的近2000美元到2016年10nm的6000美元，再到7nm和5nm的破万报价，5nm甚至高达16000美元，而且这些价格还未计入台积电2023年6%的涨幅。

今年10月份，高通和联发科等公司旗舰芯片的制程工艺全部转向3nm，引发了终端产品的涨价潮。半导体业内人士预计，由于先进制程的报价居高不下，芯片厂商成本上升，这可能会导致他们将成本压力转嫁给下游客户或终端消费者。

台积电在2nm制程节点上首度使用Gate-all-around FETs晶体管，并且N2工艺还能结合NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了更多的灵活性。与现有的N3E工艺相比，N2工艺预计在相同功率下性能提升10%至15%，或在相同频率下功耗降低25%至30%，同时晶体管密度也将提升15%。这些技术的进步将为芯片行业带来新的发展机遇。