财联社7月25日电，三星电子25日在京畿道华城厂区内的极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极（简称GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。据介绍，三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片（SoC）等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。 (韩联社)
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