IT之家 7 月 14 日消息，韩媒 ETNews 当地时间本月 9 日报道称，SK 海力士为应对先进存储器晶圆厚度的不断降低，考虑导入飞秒激光等先进晶圆切割技术。
据悉 SK 海力士目前使用的主要晶圆切割技术包括机械刀片切割（采用金刚石砂轮）、隐形切割（内部创造裂隙），但分别只能适应厚度在 100μm 及以上、50μm 左右的晶圆。
而先进存储器的晶圆厚度目前正在进一步降低，尤其是在需要多层堆叠且堆栈总高有限的先进 HBM 内存和需要混合键合连接存储单元与外围电路的未来 400+ 层 NAND 中。
报道指出，SK 海力士正与激光设备合作伙伴共同探索新的晶圆切割设备联合评估项目。该企业已与部分合作伙伴展开技术测试，探索多种可能的技术路线，包括预开槽和直接完全利用激光分离等备选方案。
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