IT之家 4 月 9 日消息，根据首尔经济日报报道，三星电子开始研发 1.0nm 晶圆代工工艺，以图在与台积电的竞争中实现“技术翻盘”。
▲ 三星、台积电预测路线图，图源首尔经济日报根据该日报报道，三星电子半导体研究所近日正式着手研发 1.0nm 工艺，部分曾参与 2nm 等尖端制程的研发人员被抽调，组建了专项项目团队。在目前三星公开的晶圆代工工艺路线图中，计划于 2027 年量产的 1.4nm 工艺为目前最尖端的工艺。
根据该日报所述，1nm 工艺需要打破现有设计框架，引入新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等下一代设备。三星预计，量产时间将在 2029 年之后。
目前，三星在量产中的 3nm 工艺，以及预计在今年量产的 2nm 工艺，首尔经济日报认为技术上仍落后于台积电，尤其是 2nm 工艺方面，台积电的良率已突破 60%，存在显著差距。因此，三星对 1nm 工艺寄予厚望，三星会长李在镕上月向高管们强调要“延续重视技术的传统”，并表示“以前所未有的技术引领未来”。
根据IT之家此前援引韩媒 The Bell 报道，三星目前最新的 2nm SF2 工艺初始良率“高于预期”，搭载该工艺的 Exynos 2600 芯片试产良率为 30%。
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