研究人员详解AMD 3D V-Cache缓存设计

研究人员详解AMD 3D V-Cache缓存设计
2021年08月06日 17:12 cnBeta

原标题:研究人员详解AMD 3D V-Cache缓存设计 来源:cnBeta.COM

高级技术研究员 Yuzo Fukuzaki,刚刚为我们详细解释了 AMD 在台北电脑展(Computex 2021)主题演讲期间介绍的一项难以捉摸的新 CPU 技术。在该公司后续的讲解中,有将所谓的三维垂直缓存(3D V-Cache),描述为堆叠在 CCD(CPU 复杂核心模块)顶上的额外 64MB 末级缓存。

官方宣称 3D V-Cache 设计可将游戏性能平均提升 15%,甚至可与 Zen 3 架构升级所带来的改进相媲美。

主题演讲体验,AMD 还亮出了一款基于 AM4 插槽、Zen 3 CCD 架构、辅以 3D V-Cache 缓存部件设计的原型样品。

以 16 核心的处理器为例,3D V-Cache 可让其拥有 192 MB 的 L3 缓存。

(传送门:LinkedIn)

Yuzo Fukuzaki 通过详细的理论,阐明了 3D V-Cache 在处理器缓存层次结构中的最合理位置。显然,它扩展了 CCD 的 L3 缓存,而不是作为接替 L3 的“L4”级缓存。

猜测 3D V-Cache 应该属于一种 SRAM 芯片,采用与 Zen 3 CCD 相同的 7nm 工艺制造,尺寸在 6×6 m㎡,通常位于具有 32MB L3 SRAM 的 CCD 区域上方。

Fukuzaki 预估 AMD 会为 3D V-Cache 芯片打出大约 23000 个硅通孔(TSV),单孔直径约 17 μm,可将 3D V-Cache 芯片与主 CCD 模块紧密连接到一起。

不过对于操作系统来说,缓存的相关层级设置仍是相当透明的(可视作每个 CCD 模组的 96MB L3 缓存)。

设计AMD
新浪科技公众号
新浪科技公众号

“掌”握科技鲜闻 (微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注)

创事记

科学探索

科学大家

苹果汇

众测

专题

官方微博

新浪科技 新浪数码 新浪手机 科学探索 苹果汇 新浪众测

公众号

新浪科技

新浪科技为你带来最新鲜的科技资讯

苹果汇

苹果汇为你带来最新鲜的苹果产品新闻

新浪众测

新酷产品第一时间免费试玩

新浪探索

提供最新的科学家新闻,精彩的震撼图片