深耕AI产业！SK海力士公布下一代NAND存储产品策略

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（来源：财联社）

财联社10月27日讯（编辑 周子意）韩国芯片制造商SK海力士周一（10月27日）表示，该公司在“2025 OCP全球峰会”中展示了针对人工智能行业定制的下一代NAND存储产品的策略。

SK海力士周一在一份声明中表示，“随着人工智能推理市场的迅速发展，人们对那些能够快速、高效地处理大量数据的NAND存储产品的需求也正在急剧增长。”

该公司指出，其将通过推出AI-NAND（AIN）系列的产品线来满足客户需求，这些产品是“为人工智能时代量身定制的解决方案”。

AIN产品线

具体来看，AIN系列产品在性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面分别优化了NAND闪存解决方案产品，旨在提升数据处理速度，并实现存储容量最大化。

其中，AIN P是一款专为大规模人工智能推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过将AI运算与存储之间的瓶颈尽量减少，显著提升了处理速度与能效。为此，公司正在以全新架构重新设计NAND闪存与控制器，并计划于2026年底推出样品。

而AIN D则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于人工智能数据的存储。相较于现有基于QLC的TB级的SSD，AIN D可将存储容量提升至最高PB级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产品。

最后，AIN B是一款通过堆叠NAND闪存以扩大带宽的解决方案产品。该产品采用了公司名为HBF的技术。据悉，HBF（高带宽闪存，High Bandwidth Flash）与堆叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）相似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。

SK海力士的首席开发官Ahn Hyun表示，“在下一代NAND存储市场中，SK海力士将与客户和合作伙伴密切合作，以成为这一领域的关键参与者。”

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