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文|徐涛 王子源 程子盈
对于主流存储,我们认为24Q2-Q3主流存储合约价与现货价脱钩体现出下游消费类需求复苏弱于预期,下半年消费类需求仍待观察,企业级需求有望保持高景气度。对于利基存储,我们预计利基存储景气度将温和修复,SLC NAND Flash价格有望保持平稳或温和上涨,NOR Flash价格、利基DRAM(DDR3、DDR4)或保持平稳,中长期看好利基DRAM国产化率持续提升。
▍存储器价格情况:
DRAM:8月环比-6%~+9%。进入三季度,存储现货市场需求仍相对平淡,消费类需求持续疲软,高端服务器仍维持高景气度;8月合约价格继续上涨,仍与现货价格走势脱钩,具体来看:1)DDR5合约价格上涨9%,现货价格小幅微涨;2)DDR4现货价格多数走低,合约价格小幅上涨,整体环比-6.29%~+5.08%。
NAND Flash(Wafer) 价格8月环比-8%~0%。TLC现货价格自2024年5月以来首次出现回落,6-7月价格整体稳定,8月再次回落,256/512Gb跌幅分别为7.98%/2.51%;TLC和MLC合约价格已连续4个月保持平稳或微涨,8月合约价均保持平稳。
存储模组:8月模组价格走势继续分化,环比-11%~+0%,DDR5内存条、OEM SSD价格保持坚挺。1)内存条:DDR5合约价格环比持平;DDR4 行业市场价格环比持平,渠道市场继续回落。2)SSD:消费市场需求转弱,渠道市场价格继续回落;行业市场在企业级需求高景气度下价格环比持平。3)移动存储:受消费市场需求低迷影响,eMMC价格环比持续回落,UFS价格经过两个月的平稳后也出现回落。
利基存储:景气度温和修复,看好国内厂商盈利能力改善。价格端,上半年部分利基DRAM、SLC NAND Flash、小容量NOR Flash价格出现温和上涨;需求端,上半年消费市场中电子烟需求旺盛,其他细分温和复苏,24Q2已有工业市场部分领域恢复拉货;供给端,我们预计在利基DRAM领域原厂持续投入DDR5和HBM的背景下,或短期去化DDR3、部分DDR4库存,但中长期将逐步降低供给。
▍价格展望:预计24H2主流存储价格涨幅将收窄或出现小幅下滑,利基存储价格多数保持平稳。
对于主流存储,晶圆端,我们预计24Q3主流存储DRAM、NAND合约和现货市场价格走势持续脱钩,根据CFM,24H2手机终端拉货放缓,PC OEM厂商普遍出现存储库存调整意愿,考虑到下游实际需求复苏情况我们预计24Q4合约价涨幅或将进一步收窄或出现小幅下滑,AI拉动高端HBM价格有望持续上涨;模组端,整体营收边际走弱,AI服务器相关企业级市场高景气度延续,相关高端DDR5、SSD模组产品价格有望持续上涨。
对于利基存储,我们预计利基存储景气度将温和修复,SLC NAND Flash价格有望保持平稳或温和上涨,NOR Flash价格、利基DRAM(DDR3、DDR4)或将保持平稳,中长期看好利基DRAM国产化率持续提升。
▍中国台湾厂商高频数据:
8月台系利基存储厂商代表旺宏(NOR/SLC NAND)、华邦电(NOR/SLC NAND/DRAM)、南亚科(DRAM)月度营收同比保持增长,环比表现不一,旺宏同比+4%,环比+12%;华邦电同比+9%,环比-1%;南亚科同比+9%,环比+2%;存储芯片代工厂商力积电同环比持续改善,同比+14%,环比+4%。8月存储模组厂商收入表现有所转弱,威刚同比+2%,环比-1%;十铨同比+66%,环比-27%;存储控制芯片厂商群联电子8月营收同比+20%,环比+2%。
▍风险因素:
下游需求复苏不及预期;存储芯片价格波动的风险;AI渗透率不及预期;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。
▍投资建议:
1)对于主流存储,我们认为24Q2-Q3主流存储合约价与现货价脱钩体现出下游消费类需求复苏弱于预期,下半年消费类需求仍待观察,企业级需求有望保持高景气度。TrendForce预计24H2主流存储合约价格涨幅将继续收敛,Q3-Q4 DRAM(不含HBM)合约价涨幅分别将达8~13%/3~8%,NAND Flash合约价涨幅分别将达5~10%/-5~0%。
2)对于利基存储,我们预计利基存储景气度将温和修复,SLC NAND Flash价格有望保持平稳或温和上涨,NOR Flash价格、利基DRAM(DDR3、DDR4)或将保持平稳,中长期看好利基DRAM国产化率持续提升。
建议关注:1)受益DDR5升级渗透的存储配套芯片;2)存储芯片设计:;3)存储模组。

本文节选自中信证券研究部已于2024年9月22日发布的《存储行业深度追踪系列第11期(2024年8月)—主流存储现货、合约价格脱钩持续,24H2下游景气度分化》报告,具体分析内容(包括相关风险提示等)请详见报告。若因对报告的摘编而产生歧义,应以报告发布当日的完整内容为准。
重要声明:
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