雷电微力申请抑制功率放大器芯片自激的封装结构专利,可降低功率放大器芯片封装过程中的自激风险

雷电微力申请抑制功率放大器芯片自激的封装结构专利,可降低功率放大器芯片封装过程中的自激风险
2024年06月14日 09:50 金融界网站

转自:金融界

本文源自:金融界

金融界2024年6月14日消息,天眼查知识产权信息显示,成都雷电微力科技股份有限公司申请一项名为“一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构“,公开号CN202410297983.3,申请日期为2024年3月。

专利摘要显示,本申请的实施例提供了一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构,涉及毫米波芯片技术领域,所述封装结构包括:功率放大器芯片和金属封装壳体;所述金属封装壳体设置有抑制自激腔体,所述功率放大器芯片放置在所述抑制自激腔体中;其中,所述抑制自激腔体的内表面设置有凹凸不平的凹凸层。本申请提供的技术方案可降低功率放大器芯片封装过程中的自激风险,具有结构简单、实用性强等优点,在毫米波频段具有广泛的应用价值。

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