半导体设备行业梳理20250518

（来源：雪比特）

本文为券商半导体设备行业更新电话会议纪要，时间为2025.5.18。不构成任何投资建议。

核心要点

1. 两条主推逻辑：前道看好存储与先进逻辑扩产 + 国产化率提升；后道看好国产算力相关测试机（长川科技SOC 测试机、存储测试机）。

2. 存储扩产：长鑫存储推进招股上市，长江存储预计 6 月走辅导上市报材料流程；预计今年国内存储扩产量约 12 万片 / 月，同比增长至少 50% 至 60%，明年扩产量更超预期。

3. 先进逻辑扩产预期不充分：今年预期约 5 万片（去年约 4 万片，增速 20% 多），若超预期对设备公司拉动显著；先进逻辑每万片资本开支 200 亿至 300 亿元，远高于存储每万片不超过 100 亿元。

4. 2025 年 14 家前后道设备公司合计营收约 900 亿元、同比增速约 35%，扣非净利润 100 多亿元、同比增长约 15%；26 年 Q1 营收 200 多亿元、同比约 32%，扣非净利润约 30 亿元、同比约 30%。

5. 后道增速显著快于前道：长川科技、华峰测控、精智达、金海通4 家后道公司 25 年营收 80 多亿元、同比增速 40% 多，26 年 Q1 营收 20 多亿元、同比增速 75%，归母净利润增速 100% 甚至 200%。

6. 26、27 两年订单增速比业绩更重要，预计订单维持 50% 以上增长；25 年底行业存货 700 多亿元、合同负债近 200 亿元，均创历史新高。

7. 设备国产化率：25 年收入口径约 24%，今明两年明显提升，部分环节有望由约 20% 提升至 70% 至 80%。

8. 重点推荐标的：前道为北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、迈为股份、芯源微；后道测试机为长川科技、华峰测控，关注精智达、联恒仪器。

具体分析

1. 两条核心逻辑链

逻辑一为晶圆制程设备（前道），下游存储与先进逻辑均积极扩产。市场对存储扩产预期较充分：存储一方面涨价，另一方面长鑫存储持续推进招股上市进程，长江存储预计 6 月走辅导上市报材料流程。明年这两家存储厂仍有较大规模扩产。

存储敞口较大的设备公司：北方华创存储敞口约 40%；中微公司约 60% 至 70%；拓荆科技约 60% 至 70%；微导纳米约 80%；迈为股份约 60% 至 70%。该批标的将充分受益于今明两年两家存储厂大扩产。

市场对先进逻辑扩产预期不充分，对 26、27 年先进逻辑扩产量（多少万片）无明确预期。国产算力芯片设计企业（华为、寒武纪、海光信息）出货量大幅进步，背后对应先进逻辑。新增 fab 预计分布在中芯国际（中芯南方）、华虹半导体及北京、东莞、深圳等地。若今明年先进逻辑扩产量超预期，对设备公司意义重大，因先进逻辑每万片资本开支较大。

资本开支对比：存储每万片最多不超过 100 亿元；先进逻辑每万片约 200 亿至 300 亿元。先进逻辑只要新增 1 至 2 万片，对半导体设备公司拉动显著。

先进逻辑敞口：北方华创约 40%；拓荆科技约 20% 至 30%；中微公司约 15% 至 20%。与先进逻辑相关主要为北方华创、拓荆科技，以及未来的中微公司。

逻辑二为国产算力相关设备机会，最直接相关的是测试机。Fabless 芯片设计企业会自购测试机用于芯片设计、流片，并指定第三方封测厂采购指定测试机。测试机分 SOC 测试机、存储测试机、模拟及功率测试机等。

与国产算力（CPU/GPU）最直接相关的是 SOC 测试机，国产做得最好的是长川科技，其次是华峰测控。HBM / 存储测试机相关：长川科技（除 SOC 外存储测试量也很大）、精智达、联恒仪器（后两者更偏存储测试机）。

2. 25 年及 26 年 Q1 业绩表现

选取约 14 家前后道半导体设备公司：25 年合计营收接近 900 亿元，同比增速约 35%；26 年 Q1 营收 200 多亿元，同比增速约 32%。25 年整体扣非净利润 100 多亿元，同比增长约 15%（受研发及股权激励费用影响）；26 年 Q1 扣非净利润约 30 亿元，同比增速约 30%。收入与利润基本维持 30% 以上增长。

前后道分化：后道收入与利润增速均快于前道。后道重点选取长川科技、华峰测控、精智达、金海通4 家，25 年收入 80 多亿元、同比增速 40% 多；26 年 Q1 收入 20 多亿元、同比增速 75%；归母净利润增速均在 100% 甚至 200%。前道整体收入与业绩增长均在 30% 左右。

后道增速更快原因：一是下游景气度高（功率、模拟、AI 芯片相关测试需求旺盛），收入兑现好；二是后道研发与费用投入相对稳定，未如前道继续大幅投入研发与股权激励。前后道业绩自 24 年起已现分化。

盈利能力：25 年及 26 年 Q1 这 14 家毛利率均在 40% 左右；净利率有季度波动，整体稳定在 10% 以上、约 13%。费用结构：研发费用占比接近 20%，管理费用占比近 10 多个百分点（与人员规模扩张、股权激励有关）。

分析判断：对前道设备公司而言，26、27 两年业绩相对没那么重要。两年为存储大扩产期，伴随大量新工艺、新产品；先进逻辑亦有大量新工艺、新产品；部分公司由刻蚀向薄膜、清洗、电镀、CMP 等品类拓展，需持续投入，体现在研发费用与（研发）人员规模上，对利润端有一定影响。但 26、27 两年订单至少维持 50% 以上增长，订单增速比业绩更重要。

存货与合同负债：25 年底存货约 700 多亿元，合同负债近 200 亿元，均创历史新高，行业在手订单充分。整个半导体设备行业仍处于高速成长阶段。

3. 前道：晶圆制程设备逻辑链

3.1 长期产能差距

NAND 端：三星产能 41 万片，西部数据（闪迪）40 万片现存产能；国内龙头长江存储目前仅十几万片，差距至少 3 倍扩产空间。 

DRAM 端：三星60 多万片，SK 海力士50 多万片，美光30 多万片；长鑫存储现阶段仅 20 多万片。两家国产存储全球份额仅 5%，远期替代海外空间大。

3.2 短期：长鑫存储业绩与扩产能力

据长鑫存储最近招股书，扣非利润表现超市场预期：26 年 Q1 营收 500 多亿元，同比增长接近 700% 至 800%；26 年上半年收入预计 1100 亿至 1200 亿元，同比增长 600% 至 700%；上半年归母净利润预计约 600 亿元，同比增速 2000% 多。本质原因为 AI 需求带动存储涨价，叠加自身先进产品突破。

产能利用率：22 年约 85% 多，25 年最新全年爬坡至 95.7%，24 年以来攀升至 90% 多，产能基本满产；资本开支维持高位。预计长鑫存储今年积极扩产，长江存储今年扩产量也将超大预期。

3.3 扩产量预期

预计今年国内存储扩产量约 12 万片，同比增长至少 50% 甚至 60%；明年量更超预期。参考海外：三星、美光、SK 海力士、西部数据（闪迪）24 至 25 年业绩超预期，26 年 Q1SK 海力士业绩大幅超预期；海外资本开支自 25 年起以 20% 以上速度推进产能扩张，但国内扩产量更大。26、27 两年国内两家 fab 存储扩产无需担心。

先进逻辑扩产量：今年预期约 5 万片（去年约 4 万片），增速 20% 多。基于中芯南方（中芯国际）、华虹半导体及北京、东莞、深圳等 fab 厂。中芯国际Q4 产能利用率因手机 PC 端影响小幅回落，但仍约 93.5%，较 23 年 Q1 低点 60% 多已接近满产，未来大概率成为扩产主力；华虹半导体及北京多个 fab 扩产潜力大。各地国资委资金充裕、跑马圈地。先进逻辑扩产量未来比今年至少翻倍增长。

3.4 技术节点演进带动单万片设备投资额提升

逻辑：由 FinFET 结构向 GAA 架构演进，由 14 纳米向 7 纳米、5 纳米及以下推进。设备投资额（每 3 万片）：7 至 5 纳米约 20 多亿美金（约 140 至 150 亿元人民币）；5 纳米约 30 亿美金（约 200 亿元人民币）；3 纳米约 40 多亿美金（接近 300 亿元人民币）。逻辑带来的每万片设备投资额显著提高。

存储：由 200 多层向 400 多层、远期千层以上演进，后续进入 3D DRAM 阶段。200 多层单万片约 70 亿至 80 亿元人民币；β/400 层以上约提升至 90 亿元人民币；即便 400 层，单万片设备投资可能不超过 100 亿元人民币。存储制程节点进步带来的单万片设备投资额提升幅度小于逻辑，但仍由现阶段约 70 亿元提升至 100 亿元。

3.5 新工艺与新设备需求

刻蚀：原高深宽比做 60:1 即可，未来 3D 堆叠及 GAA 架构需做 90:1、120:1 甚至 140:1，高深宽比刻蚀需求快速提升；高选择比刻蚀、ALE 刻蚀均有新增需求。薄膜：ALD 用量由约 10% 提升至 15% 甚至 20%，用于通孔填充、栅极形成等关键环节。材料：由钨向钼演进，追求更好电阻率与刻蚀适配性。

高选择比刻蚀：往逻辑 7 纳米以下、NAND 300 层甚至 400 层以上推进时，对高选择比先进刻蚀需求大幅提升，预计高选择比刻蚀占比提升至约 10%。

高深宽比与高选择比区别：两者工艺不冲突。高深宽比为长宽比概念（30:1、60:1、90:1），主要用于 3D NAND 等纵向打孔，3D NAND 用量大。高选择比为选择性刻蚀，针对目标材料快速刻除、非选择性材料留存，多用于横向打孔（GAA 结构下立交桥状架构）；传统 NAND 用量不大，未来 3D NAND 横向打孔用量越来越多。北方华创、中微公司及屹唐股份，以及海外泛林半导体（Lam）、\\ 应用材料（Applied）\\ 均积极推进高选择比刻蚀研发与量产。

薄膜：常见二氧化硅、二氮氧化硅多用于 PECVD。先进制程下 ALD 用量由约 10% 提升至 15% 甚至 20%，用于 high-k 材料、metal 材料、钨 / 钼材料沉积。薄膜沉积设备中 PECVD 与 ALD 最关键。

前道总结：今明两年存储与先进逻辑均为扩产大年；技术节点越进步，单万片设备投资额越大。

4. 后道：封测设备与测试机逻辑链

后道分两块：一是传统 NAND / 封测厂周期传导，今年量不错，长电科技、通富微电、华天科技等传统封测端收入与资本开支均处不错水平；二是与国产算力相关的测试机（更关键）。Fabless 芯片设计企业较少采购刻蚀、薄膜、清洗设备，采购最多或指定下游采购的是测试机。

4.1 SOC 测试机：完美通胀逻辑

可测 CPU/GPU 的为 SOC 测试机。SOC 测试机在测试机中占比由 18 年约 20% 提升至 25 年约 60%，背后为 CPU/GPU 快速发展。

量提升：AI 芯片引脚由几百个增至上千个，测试时间由毫秒级延长至单颗 10 至 20 分钟、部分半小时起步，机台用量大幅提升。测试内容增加：2010 年左右仅需 3 个 test（1 个 mission model test + 2 个 scan test）；2020 年需 wafer level test（含 new feature model、transistor count increase）、scan test、die level test 及 FT 测试、new feature model 等，合计至少约 10 项测试内容，较原 3 项多约 7 项，集采量需求增加。

价格提升：普通芯片测试机单台约 200 万至 300 万元、最高三四百万元；复杂 AI 芯片测试机海外约 2000 万元、更贵约 3000 万元，国内至少 1000 万元。量价齐升，SOC 测试机为完美通胀逻辑。

4.2 存储测试机：HBM 带来新增需求

此前存储测试机为周期性行业，与 DRAM、NAND 扩产相关。本轮 AI 对存储测试机新增要求为 HBM 相关测试机。HBM 与 DRAM 芯片不同，采用大量 2.5D、3D 封装，使用大量 TSV 及 bump，测试难度大幅提升；需测逻辑晶圆 / 逻辑芯片，并有老化测试、可靠性测试、CT 测试等，整体难度高于原 DRAM。随存储难度增加，测试机难度同步提升。

除长鑫存储、长江存储外，与 2.5D/3D 先进封测相关的盛合晶微，以及长电科技、通富微电、华天科技等传统封测龙头亦规划先进封装产能：长电科技做 interposer 及 HBM 技术平台，通富微电在存储封测投入大量产能，华天科技做存储先进封装。传统 IDM 及专业封测龙头均积极扩产，先进封装类设备与测试机品类均受益。

空间体量：封装占比不大，封装设备 SKU 过多；先进封装增益主要在前道图形化设备（薄膜、光刻、刻蚀）。若冲先进封测去买，测试逻辑更好。后道测试机看好两点：存储 HBM 先进封装需求；国产算力（华为、寒武纪、海光信息）相关的测试机、SOC 测试机。看好后道测试机远期市场空间。

4.3 测试机壁垒

测试机本质是模拟供应，需用较多芯片：测试板卡含 PE 芯片、TG 芯片、主控芯片，难度高。国产与海外差距主要在板卡。能做 PE、TG 及 F 芯片者具备核心竞争力。目前长川科技、华峰测控已基本搞定该芯片。从芯片突破角度看好长川科技、华峰测控。

5. 设备国产化率

影响因素之一为海外制裁，主要涉及美国、日本、荷兰。美国先进设备已充分预期、买不到。未来可能变化的是日本：此前讲去美化逻辑，未来区域化逻辑将逐步强化。

美国半导体设备公司多为大真空设备龙头（应用材料（Applied）、泛林半导体（Lam）、科磊（KLA））；日本半导体设备公司主要集中于涂胶显影设备与后道封测设备：涂胶显影龙头为东京电子（TEL），清洗设备为Screen及芝浦，减薄 / 抛光龙头为Disco，测试机为爱德万（Advantest）。区域化逻辑下最受益的是前道涂胶显影设备与测试机，重点关注与日本设备公司国内市占率较高的环节。

整体国产化率：25 年收入口径约 24%，提升空间大。已跑出龙头的环节：刻蚀（北方华创、中微公司）；薄膜沉积（北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米、迈为股份）；清洗（盛美上海、芯源微）；CMP（华海清科）。尚无明显龙头的环节：光刻（上海微电子、新凯来在突破）、量检测（中科飞测、新海拉）、涂胶显影（芯源微相对较好）、离子注入，这四个环节国产化率仅个位数。

今明两年国产化率确定提升。不同客户分化：武汉客户国产化率较高，合肥客户相对较低，先进逻辑整体国产化率更低。整体由原约 20% 向未来 50% 乃至 70% 至 80% 提升，今明两年明显提升。

6. 重点推荐标的

北方华创：去年订单约 500 亿元；今年存储订单至少翻倍（去年存储新签约 100 亿元，今年预计约 200 亿元），存储订单绝对值排名第一或第二；今年先进逻辑量也很多。市场存预期差：此前认为其存储敞口低而不愿交易，但 Q1 订单增速很高、超预期，Q1 先进逻辑订单占比也很高；下半年若切换先进逻辑扩产，预期差较大。

芯源微：与北方华创同体系。去年订单约 28 亿元，今年目标约 40 亿元，订单增速不输北方华创（同体系两家增速基本一致）。第四代 G 验证进展顺利。前道 track 环节除芯源微外无第二家达到该级别，格局好，重点推荐。临时键合、解键合及 TCB 均在做，封装订单增长良好。

中微公司：今年订单增速升至 50%。平台化推进：除刻蚀外薄膜进展很快；布局量检测（投资金色、上海睿励），CMP 子公司，混合键合参股清河金源。未来产能规划做到 700 亿至 800 亿元。

拓荆科技：存储敞口很大，约六七成来自存储；HBM 混合键合进展顺利，存储链相关重点推荐。

微导纳米：存储敞口高于前述几家，去年 20 亿元新签中约 80% 来自存储（该 80% 来自两家存储厂）；今年最保守预期 30 亿元半导体提前订单，乐观 40 亿元，订单增速最高（与基数小有关），最保守半导体订单增速约 50%，乐观可翻倍。ALD、PECVD 均进展不错。

迈为股份：主要做刻蚀与薄膜沉积，亦有后道键合及抛光设备。前道今年预计约 20 亿元新签（其中 2/3 来自两家存储厂）；后道键合加抛光预计约 20 亿元新签，主要进入长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微等先进封测厂；今年先进封装类设备约 20 亿元。全年半导体新签订单预计约 40 亿元，去年约 20 亿元，今年翻倍增长。

屹唐股份：刻蚀、RTP 均有不错进展。

后道封测：重点推荐长川科技、华峰测控，关注精智达、联恒仪器。长川科技兼具 SOC 测试与存储测试逻辑，今年 SOC 与存储均快速放量，明年 SOC 与存储订单速度很快。华峰测控STS8200、STS8300 近月订单不错，传统老业务今年订单增速快；STS8600 先进机台验证明年产能基本谈定，很快可见批量订单落地。国产算力测试机重点推荐长川科技、华峰测控，可关注联恒仪器、精智达。

Q&A

Q：高深宽比与高选择比刻蚀是什么区别？

A：两者工艺不冲突。高深宽比为长宽比概念（如 30:1、60:1、90:1），主要用于 3D NAND 等纵向打孔，3D NAND 用量大。高选择比为选择性刻蚀，需有目标材料并快速刻除、非选择性材料留存，多用于横向打孔（GAA 结构下立交桥状架构）；传统 NAND 用量不大，未来走 3D NAND 后横向打孔用量越来越多。北方华创、中微公司及海外泛林半导体（Lam）、应用材料（Applied）均积极推进高选择比刻蚀研发与量产。

关键数据汇总

行业整体业绩（约 14 家前后道设备公司）

后道 4 家（长川科技、华峰测控、精智达、金海通）

前道企业存储敞口

重点标的订单情况

产能差距（海外 vs 国内）

技术节点单位设备投资额（每 3 万片，逻辑）

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