2024半导体十大新闻回顾
国内新闻
1、中国芯片出口额再破万亿
2、中国半导体强劲复苏，上市公司盈利能力攀升
3、中芯国际首次升至全球第三大晶圆代工厂
4、国家大基金三期成立，注册资本达3440亿元
5、美国商务部将140家中国半导体企业列入实体清单
6、中国光速反击美芯片制裁 四大协会发声呼吁谨慎采购
7、中国政府对英伟达、英特尔启动调查审查
8、半导体行业重组加速，并购/裁员/倒闭潮涌现
9、赴港上市成为半导体企业资本化第二通道
10、欧美半导体企业纷纷加码“中国制造”
国际新闻
1、美国超过中国成为全球最大半导体市场
2、AI引发算力竞赛，谷歌、微软等企业加码自研芯片
3、英伟达破三万亿市值 博通破万亿
4、存储市场大涨，主要受AI需求拉动
5、英特尔CEO基辛格辞职
6、外企裁员频频涌现
7、《芯片法案》确认补贴台积电、三星、英特尔、SK海力士等多家半导体巨头
9、AI手机、AI PC迎来发展元年
10、ASML High NA EUV 光刻机交付
（天天IC）
国务院国资委：聚焦航空航天、集成电路、工业母机、生物技术等领域迫切需求 扎实推进重大技术装备攻关工程
《求是》杂志刊发国务院国资委党委署名文章《进一步深化国资国企改革为中国式现代化提供坚实战略支撑》。文章指出，国有企业在我国产业链供应链体系中具有举足轻重的地位，必须切实扛起维护产业安全责任，紧紧围绕解决我国产业体系中的卡点、堵点、断点问题，不断增强支撑保障能力。
要深入落实制造业重点产业链高质量发展行动，聚焦航空航天、集成电路、工业母机、生物技术等领域迫切需求，扎实推进重大技术装备攻关工程，强化行业共性技术协同攻关，从源头和底层解决我国产业体系“缺基少核”问题。加大战略性能源资源勘探开发投入，加快“沙戈荒”新能源基地等重点项目建设，推进重点矿种投产扩能，扩大我国能源资源安全战略纵深，更好助力提升产业链供应链韧性和安全水平。（芯榜）
企业动态
1640亿！大基金三期首次出手
1月2日，国家集成电路产业投资基金三期（下称，国家大基金三期）发生两项对外投资，共计1640亿元（人民币，下同），这也是大基金三期的首次投资。被投资的两家基金分别为华芯鼎新（北京）股权投资基金（有限合伙）和国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙），两家基金均成立于2024年12月31日。
华芯鼎新（北京）股权投资基金（有限合伙）成立，注册资本930.93亿元，由国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司、华芯投资管理有限责任公司分别投资930亿元和9300万元。经营范围是以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动（须在中国证券投资基金业协会完成登记备案后方可从事经营活动）。
华芯鼎新股权投资基金实际控制人或为华芯投资管理有限责任公司，吴亮东是该公司法定代表人、董事长，疑为受益所有人。
国投集新基金的注册资本710.71亿元，由大基金三期和国投创业（北京）私募基金管理有限公司（实控人）分别投资710亿元和7100万元，占比99.9%及0.1%。而国投创业（北京）则由国投创业和北京亦庄国际投资发展有限公司分别持股65%和35%。
公开资料显示，大基金三期于2024年5月24日成立，超预期注资规模3440亿元。大基金三期由19位股东共同持股。其中最大股东为财政部，持股17.4419%。其次是国开金融有限责任公司、上海国盛（集团）有限公司，持股比例分别为10.4651%、8.7209%。另外，包括工商银行(6.710, -0.09, -1.32%)等国有六大行也首次参与了大基金，出资合计1140亿元。（天天IC）
台积电硅光，取得重要进展
据《经济日报》报道，台积电硅光战略取得重大进展，近期实现共封装光学元件（CPO）与先进半导体封装技术的整合，预计2025年初开始样品交付，此里程碑将使台积电在2025年下半年迎来1.6T光传输时代。业界预期，博通和NVIDIA将成为台积电该解决方案的首批客户。
硅光子时代可能最早在2025年到来。据报道，台积电与博通合作，利用其3nm工艺成功试制了一项关键的CPO技术——微环调制器（MRM）。这一进展为将CPO与高性能计算（HPC）或用于AI应用的ASIC芯片集成铺平了道路，实现了计算任务从电信号传输到光信号的重大飞跃。
报告还强调了CPO模块生产中的挑战。由于封装工艺复杂，良率较低，台积电未来可能会将部分光学引擎（OE）封装订单外包给其他先进封装供应商。
报告中引用的行业分析师指出，台积电对硅光子的愿景围绕着将 CPO 模块与 CoWoS 或 SoIC 等先进封装技术相结合。这种方法消除了传统铜互连的速度限制。台积电预计将于 2025 年开始样品交付，1.6T 产品将于下半年进入量产，并于 2026 年扩大出货量。
《经济日报》还引述业界消息指出，NVIDIA 计划从 2025 年下半年推出的 GB300 芯片开始采用 CPO 技术，随后推出的 Rubin 架构也将采用该技术，旨在突破目前 NVLink 72 互连（最多可连接 72 个 GB200 芯片）的限制，提升通信质量，缓解 HPC 应用中的信号干扰和过热问题。（半导体行业观察）
传英伟达完成Blackwell GPU B300流片
据SemiAnalysis报道，英伟达已经完成升级版Blackwell GPU，即B300芯片的流片，并透露了改进版的Grace-Blackwell组件，即GB300。
报告指出，B300设计目标与B100和B200使用的相同，即台积电的4NP 4nm标称制造工艺。然而，对设计的调整使得其FLOPS性能比B200高出多达50%。B300 GPU还使用12层HBM3E DRAM，使得每块GPU的内存容量增加到288GB，尽管内存带宽仍保持在每块GPU 8TB/s。
英伟达于2024年3月推出B100、B200 Blackwell GPUs和GB200组件，后者配备一个基于ARM的CPU加上两个GPU。原始Blackwell部件的推出因服务器机架中GPU过热而蒙上阴影。
然而，机架的设置、液冷的使用，内部热监控以及性能管理技术都很复杂，需要超大规模客户和机架供应商进行大量配置和迭代的工作。
SemiAnalysis表示，B300系列Blackwell部件的热设计预算增加到每CPU 1.2kW——相比之下B200 为1kW，并且具有更大的内存容量，非常适合推理应用。
制造芯片的前沿晶圆通常在生产线上花费约三个月的时间，加上晶圆级测试、封装和组件测试的时间，通常决定了从流片到芯片发货的最低周期为六个月。
据SemiAnalysis称，B300在封装上与B200/GB200有一些不同。据报道，英伟达将仅提高“SXM Puck”模块上的B300和BGA封装中的Grace CPU，让客户在计算板上采购更多组件。推荐的主机管理控制器 (HMC) 来自初创公司 Axiado，第二层内存是LPCAMM模块，可能来自美光。（集微网）
（转自：SIP集成电路）
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