三星今年不能向英伟达供应HBM3E：延迟原因是芯片性能未能满足要求|三星_新浪财经

从去年10月以来，三星就一直在为旗下的HBM3E通过英伟达的质量验证而努力，但是一年多里，无论是8层堆叠还是12层堆叠的产品都没有取得有实质意义的进展。今年10月，三星还罕见地向投资者致歉，承认HBM3E向主要客户供应的时间晚于预期，对业绩产生了负面影响。

据Daily Korea报道，有熟悉三星内部事务的消息人士透露，三星今年已经不太可能向英伟达供应HBM3E，包括8层和12层堆叠的产品，预计要等到明年，供货延迟的原因是该公司在芯片性能方面未能满足英伟达的要求。

有消息指出，三星未能通过验证测试向英伟达供应HBM3E，主要原因是SK海力士的HBM3E性能表现太好，使得标准定得非常高。有业内人士推测，SK海力士采用的MR-MUF工艺，比起三星的TC-NCF工艺在HBM3E制造上带来了优势。加上SK海力士的HBM3E更早之前就开始大量向英伟达供货，过去一年多里，拉大了与三星之间的差距，无论是市场占有率还是技术方面。

不过三星2025年仍然是有机会的，毕竟英伟达对HBM产品的需求量极大，多方采购更符合自身利益。上个月英伟达创始人兼CEO黄仁勋在出席香港科技大学的活动时表示，由于产品面临的巨大市场需求，正在加速验证三星提供了8和12层堆叠产品，以便双方尽快开展相关业务。