朗科推新一代闪存技术

　　读写速度从USB1.1标准下的每秒钟1MB提高到20MB

　　本报讯（记者焦集瑩）记者昨日从闪存盘专利的拥有者朗科公司获悉，该公司已经推出了一种新型存储技术———“优芯II号”，该技术通过控制芯片可将闪存盘的读写速度从USB1.1标准下的每秒钟1MB提高到20MB.该公司2003年7月曾发布了“优芯I号”。

　　据了解，目前市场上使用的闪存盘90%是基于USB1.1标准，其实际数据传输速度每秒钟不超过1MB.考虑到数据存储安全性的同时，存储技术的发展必须运用超稳定技术与加密技术。朗科公司市场部经理张洲宽表示，此项新技术推出后，512M以上容量的闪存盘一直以来所遭遇的速度与安全性瓶颈也将不复存在，预示着闪存盘行业将从此步入以G为单位的新时代。

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