PI亮相OCP全球峰会,高压氮化镓助力下一代AI基础设施

PI亮相OCP全球峰会,高压氮化镓助力下一代AI基础设施
2026年10月23日 13:39 电子产品世界

日前,Power Integrations参加2026年OCP全球峰会,面向行业伙伴分享新一代业界领先的高压氮化镓技术,并共同探讨数据中心电源技术的发展方向。

峰会期间,PI出席 NVIDIA AI Factory招待会,并作为NVIDIA生态系统合作伙伴,亮相 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem Wall (合作伙伴展示墙)。

(图为 Power Integrations CEO Jennifer Lloyd(左三)与 NVIDIA 团队成员合影)(图为 Power Integrations CEO Jennifer Lloyd(左三)与 NVIDIA 团队成员合影)

随着AI算力快速增长,数据中心对电源效率、功率密度以及更高电压供电架构提出了新的要求。Power Integrations也在持续拓展PowiGaN™技术的应用边界,从1250V、1700V到最新推出的2200V PowiGaN技术,不断将GaN推进至更高电压的应用领域,为800VDC及未来更高电压等级的AI数据中心电源架构提供更多可能。未来,PI将继续发挥高压氮化镓技术优势,为下一代AI基础设施提供高效、高功率密度的电源解决方案。

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