随着 AI 业务负载催生对专用存储方案的需求，据报道，三星电子正在扩充下一代 NAND 闪存产品线，用以匹配各类差异化性能需求。ZDNet 援引业内消息称，三星正处于三款 zNAND 产品的早期开发阶段，分别为zNAND‑O、zNAND‑T、zNAND‑I，三款产品面向不同 AI 应用场景。
三星尚未正式发布 zNAND‑T 与 zNAND‑I，但两款产品均已投入研发。报道介绍，zNAND‑T面向大容量、高性能 AI数据中心，主打最大化吞吐与带宽；它与 zNAND‑O 架构类似，采用硅通孔（TSV）实现 NAND 裸片垂直堆叠，该架构也被称作高带宽闪存（HBF）。
而zNAND‑I的设计目标是最大化每秒输入输出操作数（IOPS），IOPS 用于衡量存储设备每秒可完成的读写操作次数。带宽衡量单位时间内传输的数据总量，与之不同，IOPS 体现单次读写操作的执行频次。报道指出，高 IOPS 的 NAND 非常适配 AI 推理任务，这类场景需要频繁读写少量临时数据，典型如键‑值（KV）缓存。
三星：TSV 架构 zNAND‑O 计划 2028 年提供样片
报道称，三星已于 8 月在美国一场存储行业展会上首次展出 zNAND‑O 原型样机。zNAND‑O 面向端侧 AI，借助 TSV 技术垂直堆叠 4 颗或 8 颗 NAND 裸片，缩短数据传输路径，以此提升读写速度与电源效率。
据 NewsPim 报道，在该架构基础上，三星为 zNAND‑O 定下性能目标：比特密度达到 DRAM 的 10 倍，读带宽与能效达到传统 NAND 的 7 倍。该产品力求兼具接近 DRAM 的速度以及 NAND 的超大存储容量，应对生成式 AI 与大语言模型（LLM）日益增长的数据处理压力。NewsPim 补充，三星计划 2028 年开始对外提供 zNAND‑O 样片。
海力士推出三款 AI‑NAND，分别侧重性能、密度、带宽
并非只有三星在开发适配各类 AI 负载的 NAND 产品。根据 ZDNet 消息，SK 海力士已于 2025 年下半年推出 AI‑NAND（AIN）产品系列，分为三个子型号：AIN‑P（性能型）、AIN‑D（密度型）、AIN‑B（带宽型）。
AIN‑P 主打性能，开发目标最高可达1 亿 IOPS；
AIN‑D 侧重 SSD 存储密度，目标容量达到拍字节（PB）级别；
AIN‑B 重点提升带宽，定位与 HBF 高带宽闪存相近。
“掌”握科技鲜闻 （微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注）
