Diodes推出行业领先的100V PowerDI8080-5封装MOSFET

Diodes推出行业领先的100V PowerDI8080-5封装MOSFET
2026年04月03日 11:37 电子产品世界

Diodes 公司(Nasdaq:DIOD)推出行业领先的超低RDS(ON)100V MOSFET,扩充其PowerDI8080-5 汽车级*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出,所有8mm x 8mm海鸥翼引线器件均设计用于最大限度降低导通损耗、减少热量产生,并提升整体效率。其应用涵盖电池电动汽车(BEV)、混合动力汽车(HEV)及内燃机(ICE)平台中的无刷直流(BLDC)和直流-直流(DC-DC)转换系统。 

48V工程师可利用额定电压100V DMTH10H1M7SPGWQ,最大1.5mΩ的RDS(ON),用于

无刷直流(BLDC)电机驱动应用,例如动力转向与制动系统。其他高功率应用包括电池断开开关和车载充电器(OBC)。设计人员还可以选择额定电压为80V 的DMTH81M2SPGWQ。 

40V 额定DMTH4M40SPGWQ最大 RDS(ON)为 0.4mΩ,处于行业领先水平,适用于 12V 无刷直流(BLDC) 电机及直流-直流(DC-DC)应用。40V 额定逻辑型 MOSFET DMTH4M40LPGWQ在栅源电压(VGS)为4.5V时可提供低至0.64mΩ的RDS(ON),适用于低电压、微控制器驱动汽车应用,如执行器/风扇控制及负载开关,且不牺牲导通状态损耗。60V 额定DMTH6M70SPGWQ为 24V 应用提供高性能表现。 

PowerDI8080-5 封装的 PCB 占板面积仅 64mm²,约为传统 TO-263(D2PAK)封装面积的 40%,且封装高度仅为 1.7mm,使其非常适合小占板面积应用。此外,铜夹片芯片键合技术可将热阻(RthJC)降至最低0.3°C/W,使漏极电流可达847A且无损坏风险。海鸥翼引线结构促进自动光学检测(AOI),并提升温度循环可靠性,支持稳健的汽车制造工艺。 

另提供标准合规版本,适用于工业及商业应用。

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