在 2026 年英伟达 GTC 大会上，英特尔有望为英伟达下一代费曼系列 GPU 提供先进封装服务的消息引发行业热议，其嵌入式多芯片互连桥接技术及马来西亚基地的扩建计划也因此备受关注。据《马来西亚边缘报》消息，英特尔位于马来西亚的先进封装基地及封装测试产线将于2026 年下半年正式投产。
该报道援引马来西亚总理安华・易卜拉欣的社交媒体发文称，其已听取英特尔首席执行官陈立武及其团队关于公司在马扩建计划最新进展的工作汇报。报道还指出，英特尔晶圆代工事业部执行副总裁兼总经理纳加・钱德拉塞卡兰已明确基地一期规划，将率先落地先进封装的封装、测试产能。
科技动力网此前曾报道，2025 年底英特尔马来西亚“塘鹅计划”先进封装基地已正式进入建设收尾阶段，项目整体完工率达 99%，英特尔还追加 2 亿美元投资用于基地最终落成。值得一提的是，该基地将承接芯片晶圆分选、预处理等工序，同时支持 EMIB 和 Foveros 两种先进封装工艺，能够更快响应客户的产能与技术需求。
英特尔也正联合长期合作的封测代工厂安靠科技，持续扩大 EMIB 技术的产能。韩国电子时报早前报道称，英特尔已在安靠科技韩国松岛 K5 工厂落地其 EMIB 先进封装技术。
据韩国电子时报介绍，EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）是一种实现多半导体芯片互连的 2.5D 先进封装技术。与英伟达 AI 加速器所采用的传统硅中介层不同 —— 传统硅中介层成本高昂，EMIB 技术将硅桥直接嵌入芯片基板，为实现高精度 2.5D 封装提供了更经济、更高效的解决方案。
英特尔 EMIB 封装技术迎来多重升级
韩国电子时报最新报道显示，英特尔的 EMIB 封装技术即将实现跨越式升级，首款升级产品将瞄准120×120 毫米的封装尺寸 —— 相较于目前英伟达黑晶系列等最新 AI 芯片所采用的 100×100 毫米行业标准尺寸，这一升级标志着英特尔在先进半导体设计领域的重大突破。
报道还指出，英特尔计划为这款 120×120 毫米的封装产品配备至少 12 层高带宽内存（HBM）堆叠，而传统 100×100 毫米封装的标配仅为 8 层。英特尔的布局还不止于此，其已制定长期规划，计划在 2028 年前推出更大尺寸的120×180 毫米封装产品，该规格可支持最多 24 层 HBM 堆叠，内存扩展能力大幅提升。
值得关注的是，韩国电子时报提到，英特尔于 2025 年推出了融合硅通孔（TSV）技术的增强版 EMIB-T 封装方案，目前正针对该技术进行优化升级，使其能够适配存储厂商正加速量产的下一代 HBM4 高带宽内存。
但报道也指出，英特尔的技术升级仍面临诸多挑战：更大的封装尺寸虽能集成更多 GPU、CPU 及 HBM 内存等芯片组件，却也会加剧制造难度，导致芯片翘曲风险上升、生产良率受损。
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