不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。AI产业的快速发展成为推动价格上涨的核心动力。相较于中东地缘政治风险、运输成本上升等宏观因素，科技企业对AI基础设施的大规模投入才是关键原因。Counterpoint Research预测，2026年三星电子、SK海力士、美光、长鑫存储、南亚科等主要DRAM厂商产量将增加约26%，NAND产量则将增加约24%。不过在2027年下半年之前，存储芯片供给端仍难实现实质性扩张，供应短缺问题预计要到2027年下半年才有望缓解。SK海力士在2025年以约60%的市场份额主导HBM市场，但2026年可能因供应英伟达的HBM4产品设计调整，市占率略有下滑。相比之下，三星的HBM4增长势头更值得关注。长期来看，国产存储芯片厂商的崛起也将成为重要变量。预计到2028年，长鑫存储市占率有望提升至10%以上，而长江存储在NAND领域的市占率目前已达约13%。
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