英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC碳化硅MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。
对于欧洲电子工程新闻网的读者而言，这一消息清晰体现出碳化硅的应用正加速突破牵引逆变器领域，延伸至汽车核心的功率转换模块；同时也凸显出车企正愈发广泛地采用宽禁带半导体器件，以实现电动汽车快充提速、续航提升等可量化的性能优化。
碳化硅深度融入丰田电动汽车功率电子系统
据官方消息，丰田此次为 bZ4X 的车载充电器和直流 - 直流转换器专门搭载了英飞凌CoolSiC 碳化硅 MOSFET，这两大核心子系统直接影响车辆的充电效率、热性能及集成封装密度。
英飞凌表示，碳化硅材料本身具备低损耗、高耐热性和高耐压的固有优势，这是其能够提升系统级性能的核心原因；从实际应用来看，这些优势能切实帮助电动汽车实现续航延长与充电时间缩短。
英飞凌还将此次合作视为汽车电动化转型大趋势的一部分，在这一趋势下，功率电子系统正成为整车厂打造产品差异化的核心环节。
英飞凌汽车事业部执行副总裁兼首席销售官彼得・舍费尔表示：“作为全球顶尖车企之一的丰田选择了英飞凌的 CoolSiC 技术，我们深感荣幸。碳化硅能有效提升电动汽车的续航、效率与整体性能，因此成为未来移动出行领域的关键技术。凭借对创新的坚持、对零缺陷品质的追求，我们已做好充分准备，满足电动汽车领域持续增长的功率电子器件需求。”
沟槽栅型 CoolSiC 器件：兼顾效率提升与驱动电路简化
英飞凌介绍，其 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 采用沟槽栅结构设计，可降低归一化导通电阻并缩小芯片尺寸。这一设计组合能有效减少导通损耗与开关损耗，而损耗的降低正是提升汽车功率转换效率的关键抓手。
官方消息还强调，该器件在设计层面完成了多项优化，可满足车载充电器和直流 - 直流转换器对高集成密度、高可靠性的设计要求。英飞凌通过优化寄生电容与栅极阈值电压，实现了单极性栅极驱动，这一特性能够简化汽车功率系统中的栅极驱动电路设计。
此次斩获丰田 bZ4X 的配套订单后，英飞凌正将 CoolSiC 打造为可扩展的碳化硅平台，以适配越来越多向宽禁带功率器件升级的汽车电动化子系统。
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