随着存储芯片价格持续上涨，三星电子与SK海力士有望实现NAND闪存业务毛利率的历史新高。据ZDNet报道，两家公司预计将在今年上半年继续激进上调NAND产品价格，业内预估其毛利率将攀升至40%–50% 区间。
ZDNet指出，这将是NAND产品近十年来首次达到如此高的盈利水平——上一次类似盛况还要追溯到2017年的存储“超级周期”。报道补充称，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至约20%。
报道援引业内人士消息称，市场普遍预期NAND价格将在第一季度和第二季度分阶段持续上涨。由于存储厂商对NAND产线采取保守的资本支出策略，导致供应持续收紧，加剧了当前日益严峻的短缺局面。
值得注意的是，报道指出，SK海力士因其产品组合中四层单元（QLC）而被广泛认为盈利能力高于三星电子。QLC技术每单元可存储4比特数据，更适合大容量应用场景，正越来越多地被用于服务器SSD。
此外，随着全球大型科技公司加速投资AI基础设施，服务器SSD需求迅速攀升。《经济日报》特别提到，英伟达即将推出的Vera Rubin系统预计将配备18个计算托盘，每个托盘搭载4颗GPU，而每颗GPU搭配约16TB的TLC SSD存储。这意味着单台Vera Rubin服务器所需的NAND容量可能高达1,152TB（即1.15PB）。
TrendForce指出，2026年第一季度持续强劲的AI与数据中心需求，正进一步加剧全球存储市场的供需失衡。因此，TrendForce已将NAND闪存合约价涨幅预期从原先的33%–38%大幅上调至55%–60%，并表示未来仍有进一步上调的可能。
与此同时，《朝鲜日报》（Chosun Ilbo）指出，随着半导体行业预期可能出现“NAND春天”，市场格局或将发生重大变化。在三星和SK海力士缩减NAND产能、优先保障DRAM生产的背景下，其他规模较小的供应商正加速投资以填补市场空缺。
报道称，日本铠侠（Kioxia）与美国西部数据（SanDisk）已将其在日本四日市的合资企业运营期限延长五年，至2034年12月31日，以应对激增的NAND需求。此外，美光（Micron）也宣布计划扩建其位于新加坡的现有NAND制造基地。
这一轮由AI驱动的NAND需求热潮，不仅推高了头部厂商的利润，也为二线玩家创造了战略机遇，全球NAND产业竞争态势或将迎来新一轮洗牌。
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