快科技1月26日消息，近期内存板块涨势如虹、势不可挡，高盛最新发布的报告揭示了DRAM市场一个罕见现象：
现货与合约价格出现严重失衡，现货价格大幅溢价于合约价格，其中DDR4现货价较合约价飙升172%，DDR5溢价亦达76%。
高盛明确指出，这种极端的价格剪刀差在过往行业周期中极难持续，最终几乎只剩下一条路，即合约价格被迫大幅补涨。
从价格走势来看，高盛数据显示，自2026年初以来，DDR5现货价格重新步入快速反弹通道；而DDR4现货价格的涨势更为迅猛，自2024年9月起便一路上行，至今涨势仍未显现收敛迹象。
高盛分析认为，“现货领先、合约跟进”是DRAM市场的固有运行规律，在当前极端的溢价幅度下，下游客户在合约谈判中的议价能力几乎没有，当前市场定价体系已严重脱节，这意味着合约价格的大幅调整势在必行。
一方面，上游供应商持续受益：对三星、SK 海力士、南亚科等DRAM原厂而言，合约价上涨将直接增厚营收与利润。
另一方面，下游客户成本压力陡增。下游服务器PC、手机等厂商议价能力进一步丧失，合约价补涨将直接推高其采购成本。
基于上述分析，高盛维持对三星电子与SK海力士的强烈看多立场。该机构指出，目前客户已开始接受2026年第一季度更为激进的涨价幅度，这意味着整个存储芯片板块的获利预期仍有进一步上看的空间。
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责任编辑：朝晖
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