AI芯片新引擎：英特尔首秀EMIB玻璃基板，78mm超大封装

1 月 23 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（1 月 22 日）发布博文，报道称在 2026 年 NEPCON 日本电子展上，英特尔首度公开展示集成 EMIB 技术、尺寸达 78mm×77mm 的巨型玻璃芯基板原型。

注：EMIB 全称为 Embedded Multi-die Interconnect Bridge，官方名称为嵌入式多芯片互连桥接，可以理解为埋在基板里的“高速立交桥”，专门用来连接基板上相邻的两个小芯片，让数据传输像在同一个芯片内一样快。

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为何 AI 芯片必须“弃塑换玻”？

援引博文介绍，随着 AI 芯片尺寸不断逼近光刻机视场极限（Reticle Limit），传统的有机树脂基板（Organic Substrate）面临严峻的物理瓶颈。

有机材料在高温下极易发生热胀冷缩，导致基板翘曲（Warpage），进而引发芯片接合不良。相比之下，玻璃材料拥有与硅芯片相近的热膨胀系数（CTE），受热后尺寸极其稳定。

此外，玻璃表面极度平滑，支持比有机基板更微细的电路刻蚀，是承载下一代超大算力芯片的理想“地基”。

技术规格方面，英特尔采用了一个尺寸为 78mm x 77mm 的巨型封装，其面积达到了标准光罩尺寸的 2 倍。

图源：英特尔

在垂直截面上，该基板运用了“10-2-10”的堆叠架构：以 800μm（0.8mm）的厚玻璃芯为中心，上下各堆叠 10 层重布线层（RDL），总计 20 层电路用于处理复杂的 AI 信号传输。

选用 800μm 的“厚芯（Thick Core）”设计，是为了在数据中心的高压环境下确保超大尺寸封装的机械刚性，防止断裂。同时，该基板实现了 45μm 的超微细凸点间距，I/O 密度远超传统基板。

英特尔在此次展示的封装中已成功集成了两个 EMIB 桥接器，验证了玻璃基板在承载复杂多芯片配置时的能力，相比传统有机基板，玻璃基板能提供更精细的互连间距、更好的焦深控制以及更低的机械应力。

业界最关注的焦点在于英特尔明确宣称实现了“No SeWaRe”。SeWaRe 是行业隐语，指代玻璃基板在切割与搬运中极易产生的微裂纹（Micro-cracks），这些隐形伤痕往往会导致封装在热循环测试中彻底碎裂。

英特尔此次的宣示，意味着其已通过特殊的材料改性或加工工艺，彻底解决了玻璃的脆性问题，确保了量产级的可靠性。