格罗方德(GF)日前宣布,与台积电就650V和80V氮化镓(GaN)技术达成技术许可协议。这一战略布局将加速格罗方德面向数据中心、工业和汽车电源应用的下一代氮化镓产品的开发,并为全球客户提供美国本土的氮化镓产能。

Source: Getty/ Wiyada Arunwaikit
随着传统硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术的性能达到极限,氮化镓正被认为是一个更优的解决方案,以满足电源系统对更高效率、功率密度和紧凑性日益增长的需求。格罗方德正在开发全面的氮化镓产品组合,包括高性能650V和80V技术,旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统及快充电子设备。
格罗方德将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂部署获得许可的氮化镓技术,依托该工厂在高压硅基氮化镓技术方面的专业知识,为寻求先进功率器件的客户加快量产速度。相关技术开发预计将于2026年初启动,同年晚些时候开始量产。
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