iDEAL半导体近日宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产品已进入量产阶段，另外四款200 V器件现已提供样品。
SuperQ是硅MOSFET技术在超过25年来的首次重大进步，突破了长期存在的开关和导通限制。它在性能和效率方面实现了阶跃式提升，同时保留了硅的核心优势：坚固性、高产量制造能力，以及在175 °C下的可靠表现。
首款进入量产的200 V器件是iS20M028S1P，这是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封装。iDEAL的最低电阻200 V器件现已在TOLL和D²PAK-7L封装中提供样品，其最大RDS(on)仅为5.5 mΩ。这树立了新的性能基准，其电阻比当前市场领先者低1.2倍，比次佳竞争对手低1.7倍。
“通过将SuperQ扩展到200 V，iDEAL证明了硅创新远未结束，”iDEAL半导体首席执行官兼创始人Mark Granahan表示。“这些结果表明，我们可以在保持硅的可制造性、可靠性和成本优势的同时，提供最低电阻和卓越的开关性能。这是我们公司以及希望推动效率进步的客户的一个重大里程碑。”
200 V SuperQ系列的目标应用包括电机驱动、LED照明、电池保护、AI服务器、隔离DC/DC电源模块、USB-PD适配器和太阳能。随着器件进入生产阶段并提供行业领先的样品，iDEAL正在加速与高增长功率市场客户的合作。
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