8 月 27 日，三安在投资者关系平台上宣布，其湖南三安半导体基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生产线正式投产。
湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片线从建设到投产不到一年，进展比预期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相对完整的 SiC 产业链产能：6 英寸 SiC 产能为每月 16000 片，8 英寸衬底和外延产能分别为每月 1000 片和 2000 片。此外，该公司还有氮化镓-on-Silicon 产能为每月 2000 片。
湖南三安碳化硅项目的总投资额为160亿元人民币，目标是建立一个兼容6英寸和8英寸碳化硅的垂直整合量产平台。在达到满产后，它将能够每年生产36万片6英寸碳化硅晶圆和48万片8英寸碳化硅晶圆。
今年2月27日，三安和意法半导体宣布，他们联合在重庆建立的碳化硅晶圆厂也已完成生产线调试。该项目预计今年第四季度实现量产，成为中国第一个大规模8英寸汽车级碳化硅功率芯片生产线。一旦完全达产，该晶圆厂将能够每周生产约1万片汽车级晶圆。
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