美光公司于当地时间6月12日宣布，将其在美国的总投资计划从原先公布的1250亿美元提升至2000亿美元，新增投资包括250亿美元用于内存制造和500亿美元用于研发。按当前汇率计算，这一总额约合1.44万亿元人民币。
此前，美光已在总部所在地爱达荷州博伊西启动了一座DRAM内存晶圆厂的建设，并计划在纽约州克莱再建四座大型内存晶圆厂。
根据最新公布的投资计划，公司将在博伊西再建设一座晶圆厂，同时新建HBM封装设施，并对位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有晶圆厂实施扩建和升级。马纳萨斯工厂将专注于生产技术较为成熟的1-alpha（1a纳米）DRAM产品，以确保美国多个重要领域内存产品的稳定供应。
美国商务部已批准向该项目提供2.75亿美元的CHIPS法案补贴，这使得美光获得的直接财政支持总额达到64亿美元。
按照规划，博伊西首座新建晶圆厂预计将于2027年开始投产DRAM，纽约州克莱项目的前期场地准备工作也有望在今年下半年启动。公司表示，博伊西的第二座新厂将早于克莱的第一座晶圆厂投入运营，而HBM封装项目将在博伊西两座新厂完工之后启动。
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