NVIDIA近期推动了一项新型内存模块的研发计划，并委托三星电子、SK海力士以及美光三家公司共同参与开发。据相关消息显示，美光意外成为首个完成量产准备的厂商。
这种名为SoCEM的内存模块是NVIDIA提出的新技术概念，其结构由16颗LPDDR5X芯片堆叠而成，每4颗为一组。与传统HBM内存通过硅通孔实现垂直连接的方式不同，SoCEM采用的是打线接合技术，以铜线将16颗芯片串联在一起。由于铜具备良好的热传导性能，能够有效降低每颗DRAM芯片在运行时产生的热量。此前，美光曾表示，其最新一代低功耗DRAM产品在能耗效率方面较同类产品高出约20%。
业内分析认为，美光在EUV光刻设备的应用上起步较晚，反而使其在此次竞争中更快实现了供货准备。不同于其他厂商主要依赖EUV技术提升DRAM性能的做法，美光选择了另一条路径，在不大幅提升制造复杂度的前提下，通过结构与工艺的创新，在提升内存性能的同时实现了更低的发热水平。
据悉，SoCEM模块计划应用于NVIDIA预计于明年推出的下一代GPU架构“Rubin”。此外，业界对这一技术未来的发展潜力给予高度关注，认为其不仅适用于高性能计算领域，还可能延伸至正在研发的个人超级计算设备“Digits”。
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