详解IGBT工作原理

大家好，我是蜗牛兄，今天给大家分享的是：IGBT（绝缘栅双极型晶体管)

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在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。

IGBT实物图+电路符号图

你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。

与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。

IGBT的电路符号与等效电路图

IGBT的内部结构图

如上图所示，最靠近集电极区的层是 (p+) 衬底，即注入区；在它上面是 N 漂移区域，包括 N 层。注入区将大部分载流子（空穴电流）从 (p+) 注入 N- 层。

漂移区的厚度决定了 IGBT 的电压阻断能力。

漂移区域的上面是主体区域，它由 (p) 基板组成，靠近发射极，在主体区域内部，有 (n+) 层。

注入区域和 N 漂移区域之间的连接点是 J2。类似地，N-区域 和 主体区域之间的结点是结点 J1。

注意：IGBT 的结构在拓扑上类似于“MOS”栅极的晶闸管。但是，晶闸管动作和功能是可抑制的，这意味着在 IGBT 的整个器件工作范围内只允许晶体管动作。

IGBT 比晶闸管更可取，因为晶闸管等待过零的快速切换。

如果正输入电压通过栅极，发射极保持驱动电路开启。另一方面，如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负，则会关闭电路应用。

由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管，因此它实现的放大量是其输出信号和控制输入信号之间的比率。

对于传统的 BJT，增益量与输出电流与输入电流的比率大致相同，我们将其称为 Beta 并表示为 β。

另一方面，对于 MOS管，没有输入电流，因为栅极端子是主通道承载电流的隔离。我们通过将输出电流变化除以输入电压变化来确定 IGBT 的增益。

IGBT 结构图

如下图所示，当集电极相对于发射极处于正电位时，N 沟道 IGBT 导通，而栅极相对于发射极也处于足够的正电位 (>V GET )。这种情况导致在栅极正下方形成反型层，从而形成沟道，并且电流开始从集电极流向发射极。

IGBT 中的集电极电流 Ic 由两个分量 Ie和 Ih 组成。Ie 是由于注入的电子通过注入层、漂移层和最终形成的沟道从集电极流向发射极的电流。Ih 是通过 Q1 和体电阻 Rb从集电极流向发射极的空穴电流。因此

尽管 Ih几乎可以忽略不计，因此 Ic ≈ Ie。

在 IGBT 中观察到一种特殊现象，称为 IGBT 的闩锁。这发生在集电极电流超过某个阈值（ICE）。在这种情况下，寄生晶闸管被锁定，栅极端子失去对集电极电流的控制，即使栅极电位降低到 VGET以下，IGBT 也无法关闭。

现在要关断 IGBT，我们需要典型的换流电路，例如晶闸管强制换流的情况。如果不尽快关闭设备，可能会损坏设备。

集电极电流公式

下图很好地解释IGBT的工作原理，描述了 IGBT 的整个器件工作范围。

IGBT的工作原理图

IGBT 仅在栅极端子上有电压供应时工作，它是栅极电压，即 VG。

如上图所示，一旦存在栅极电压 ( VG ) ，栅极电流 ( IG ) 就会增加，然后它会增加栅极-发射极电压 ( VGE )。

因此，栅极-发射极电压增加了集电极电流 ( IC )。因此，集电极电流 ( IC ) 降低了集电极到发射极电压 ( VCE )。

注意：IGBT 具有类似于二极管的电压降，通常为 2V 量级，仅随着电流的对数增加。

IGBT 使用续流二极管传导反向电流，续流二极管放置在 IGBT 的集电极-发射极端子上。

IGBT 的近似等效电路

仔细检查 IGBT 的基本结构，可以得出这个等效电路，基本结构如下图所示。

等效电路图的基本结构

穿通 IGBT、PT-IGBT：穿通 IGBT、PT-IGBT 在发射极接触处具有 N+ 区。

观察上面显示 IGBT 的基本结构，可以看到到从集电极到发射极存在另一条路径，这条路径是集电极、p+、n- 、 p（n 通道）、n+ 和发射极。

因此，在 IGBT 结构中存在另一个晶体管 Q2作为 n – pn+，因此，我们需要在近似等效电路中加入这个晶体管 Q2以获得精确的等效电路。

IGBT 的精确等效电路如下所示：

IGBT的精确等效电路图

该电路中的 Rby 是 p 区对空穴电流的流动提供的电阻。

众所周知，IGBT是 MOS 管的输入和 BJT 的输出的组合，它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNP BJT等效的结构，因此也可以加入漂移区的电阻。

IGBT的静态特性图

当 IGBT 处于关闭模式时（VCE为正且 VGE < VGET），反向电压被 J 2 阻断，当它被反向偏置时，即 VCE为负，J 1 阻断电压。

IGBT的典型开关电路图

下图显示了IGBT 的典型开关特性。

IGBT 的典型开关特性

导通时间（ t on）：通常由延迟时间 (t dn ) 和上升时间 (t r ) 两部分组成。

延迟时间 （t dn )：定义为集电极电流从漏电流 ICE上升到 0.1 IC（最终集电极电流）和集电极发射极电压从 VCE下降到 0.9VCE的时间。

上升时间 （t r )：定义为集电极电流从 0.1 IC上升到 IC以及集电极-发射极电压从 0.9V CE下降到 0.1 VCE的时间。

关断时间（ t off）:由三个部分组成，延迟时间 (t df )、初始下降时间 (t f1 ) 和最终下降时间 (t f2 )。

延迟时间 （t df )：定义为集电极电流从 I C下降到 0.9 I C并且 V CE开始上升的时间。

初始下降时间 （t f1 )：集电极电流从 0.9 I C下降到 0.2 I C并且集电极发射极电压上升到 0.1 V CE的时间。

最终下降时间 （t f2 )：定义为集电极电流从 0.2 I C下降到 0.1 I C并且 0.1V CE上升到最终值 V CE的时间。

关断时间公式

导通时间公式

当施加到栅极引脚的电压超过阈值电压时，IGBT 开始导通，集电极电流 I G开始在集电极和发射极端子之间流动。集电极电流相对于栅极电压增加，如下图所示。

IGBT的输入特性图

IGBT 的输出特性图

IGBT 的输出特性分为三个阶段：

第一阶段：当栅极电压 VGE 为零时，IGBT 处于关断状态，这称为截止区。

第二阶段：当 VGE 增加时，如果它小于阈值电压，那么会有很小的漏电流流过 IGBT ，但I GBT 仍然处于截止区。

第三阶段：当 VGE增加到超过阈值电压时，IGBT 进入有源区，电流开始流过 IGBT 。如上图所示，电流将随着电压 VGE的增加而增加。

• 具有更高的电压和电流处理能力。

• 具有非常高的输入阻抗。

• 可以使用非常低的电压切换非常高的电流。

• 电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗。

• 栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求

• 通过施加正电压可以很容易地打开它，通过施加零电压或负电压可以很容易地关闭它。

• 具有非常低的导通电阻。

• 具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸。

• 具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。

• 具有比 BJT 更高的开关速度。

• 可以使用低控制电压切换高电流电平。

• 由于双极性质，增强了传导性。

• 更安全

2、缺点

• 开关速度低于 MOS管。

• 单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。

• 不能阻挡更高的反向电压。

• 比 BJT 和 MOS管 更昂贵。

• 类似于晶闸管的 PNPN 结构，它存在锁存问题。

• 与 PMOS 管 相比，关断时间长。

以上就是关于 IGBT（绝缘栅双极型晶体管)内部结构、工作原理、特性、优缺点等的内容。