本报讯（记者刁雯蕙）记者从哈尔滨工业大学深圳校区了解到，该校教授陈晓彬团队在磁隧道结领域取得新进展——揭示了产生巨磁阻效应的全新物理机制。近日，相关成果发表于《物理评论快报》。
磁阻器件在磁传感和数据存储技术中应用广泛，实现高磁阻是提高磁阻器件灵敏度的关键。半金属材料仅有一种自旋通道，用于半金属器件中可自然实现完美自旋过滤，理论上可实现100%的极限磁阻，但因半金属材料稀少且精确制造难度大，其研究进展较为缓慢。
在该研究中，研究团队提出自旋-谷失配材料的概念，阐明其引发高磁阻的机制。自旋-谷失配材料具有本征的不匹配的自旋和谷自由度，在输运结构中呈现输运带隙。这些材料被用作电极时，可在反平行构型下阻塞电荷传输，从而产生巨磁阻效应。
该研究为新型高磁阻机制提供了清晰的物理见解，为寻找、设计高磁阻器件开辟了新途径。
相关论文信息：
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.134.036302
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