瑞萨电子介绍与本田合作SDV SoC细节:台积电3nm制程,2000TOPsAI算力

瑞萨电子介绍与本田合作SDV SoC细节:台积电3nm制程,2000TOPsAI算力
2025年01月09日 17:09 砍柴网

1 月 9 日消息,日本半导体企业瑞萨电子昨日公布了其与本田合作开发的高性能 SDVSoC 的部分技术细节。该芯片计划用于 Honda 0 系列电动汽车未来车型,特别针对将于本十年末推出的车型。

这颗 SoC 采用台积电 3nm 汽车工艺技术(应为 N3A 制程变体),结合了瑞萨的通用第五代 R-Car X5 SoC 和本田开发的 AI 加速器两种芯粒 / 小芯片单元,可提供 2000 TOPs AI 算力并具有 20 TOPs / W 的能效表现,拥有满足自动驾驶等高级功能所需的 AI 性能,同时保持低功耗。

瑞萨表示 Honda 0 电动汽车将采用集中式 E / E(电子电气)架构,以单一 ECU(电子控制单元)控制多种车辆功能。两家企业合作开发的核心 EUC SoC 将成为 SDV 的“心脏”,负责管理 ADAS、自动驾驶、动力系统控制以及舒适功能等基本车辆操作。

【来源:IT之家】

本田
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