Boost升压电路原理讲解

Boost升压电路原理讲解
2024年11月04日 13:06 电子产品世界

Boost电路是一种开关直流升压电路,它能够使输出电压高于输入电压。在电子电路设计当中算是一种较为常见的电路设计方式。本文将给大家介绍boost基本原理、电路参数设计。

本文引用地址:

首先我们需要知道:

电容阻碍电压变化,通高频,阻低频,通交流,阻直流;

电感阻碍电流变化,通低频,阻高频,通直流,阻交流;

图1 Boost开关升压电路的原理图图1 Boost开关升压电路的原理图

假定那个开关(三极管或者MOS管)已经断开了很长时间,所有的元件都处于理想状态,电容电压等于输入电压。

下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。

充电过程

在充电过程中,开关闭合(三极管导通),等效电路如图2,开关(三极管)处用导线代替。这时,输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电,所以电感上的电流以一定的比率线性增加,这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加,电感里储存了一些能量。

放电过程

如图3这是当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时,由于电感的电流保持特性,流经电感的电流不会马上变为0,而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开,于是电感只能通过新电路放电,即电感开始给电容充电,电容两端电压升高,此时电压已经高于输入电压了,升压完毕。

说起来升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时,电感吸收能量,放电时电感放出能量。如果电容量足够大,那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。如果这个通断的过程不断重复,就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。

boost电路升压过程

下面是一些补充:

AA电压低,反激升压电路制约功率和效率的瓶颈在开关管,整流管,及其他损耗(含电感上)。

电感不能用磁体太小的(无法存应有的能量),线径太细的(脉冲电流大,会有线损大)。

整流管大都用肖特基,大家一样,无特色,在输出3.3V时,整流损耗约百分之十。

开关管,关键在这儿了,放大量要足够进饱和,导通压降一定要小,是成功的关键。总共才一伏,管子上耗多了就没电出来了,因些管压降应选最大电流时不超过0.2--0.3V,单只做不到就多只并联。

最大电流有多大呢?简单点就算1A吧,其实不止。由于效率低会超过1.5A,这是平均值,半周供电时为3A,实际电流波形为0至6A。所以建议要用两只号称5A实际3A的管子并起来才能勉强对付。

现成的芯片都没有集成上述那么大电流的管子,所以建议用土电路就够对付洋电路了。

这些补充内容是教科书本上没有的知识,但是能够与教科书本上的内容进行对照并印证。

开关管导通时,电源经由电感-开关管形成回路,电流在电感中转化为磁能贮存;开关管关断时,电感中的磁能转化为电能在电感端左负右正,此电压叠加在电源正端,经由二极管-负载形成回路,完成升压功能。既然如此,提高转换效率就要从三个方面着手:尽可能降低开关管导通时回路的阻抗,使电能尽可能多的转化为磁能;尽可能降低负载回路的阻抗,使磁能尽可能多的转化为电能,同时回路的损耗最低;尽可能降低控制电路的消耗,因为对于转换来说,控制电路的消耗某种意义上是浪费掉的,不能转化为负载上的能量。

Boost电路参数的设计

对于Boost电路,电感电流连续模式与电感电流非连续模式有很大的不同,非连续模式输出电压与输入电压,电感,负载电阻,占空比还有开关频率都有关系。而连续模式输出电压的大小只取决于输入电压和占空比。

输出滤波电容的选择

在开关电源中,输出电容的作用是存储能量,维持一个恒定的电压。

Boost电路的电容选择主要是控制输出的纹波在指标规定的范围内。

对于Boost电路,电容的阻抗和输出电流决定了输出电压纹波的大小。

电容的阻抗由三部分组成,即等效串联电感(ESL),等效串联电阻(ESR)和电容值(C)。

在电感电流连续模式中,电容的大小取决于输出电流、开关频率和期望的输出纹波。在MOSFET开通时,输出滤波电容提供整个负载电流。

电感

在开关电源中,电感的作用是存储能量。

电感的作用是维持一个恒定的电流,或者说,是限制电感中电流的变化。

在Boost电路中,选择合适电感量通常用来限制流过它的纹波电流。

电感的纹波电流正比于输入电压和MOSFET开通时间,反比于电感量。电感量的大小决定了连续模式和非连续模式的工作点。

除了电感的感量外,选择电感还应注意它最大直流或者峰值电流,和最大的工作频率。

电感电流超过了其额定电流或者工作频率超过了其最大工作频率,都会导致电感饱和及过热。

MOSFET

在小功率的DC/DC变化中,PowerMOSFET是最常用的功率开关。MOSFET的成本比较低,工作频率比较高。

设计中选取MOSFET主要考虑到它的导通损耗和开关损耗。

要求MOSFET要有足够低的导通电阻RDS(ON)和比较低的栅极电荷Qg。

设计
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