中微公司前三季度研发投入大增95%

10月29日晚，中微公司（688012.SH）在盘后发布第三季度报，营业收入和净利润均呈现较快幅度增长，研发投入持续加码。

中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。本季度，中微公司营收20.60亿元，同比增长35.96%；归属于上市公司股东扣非净利润3.30亿元，同比增长53.79%。前三季度，营业收入55.07亿元，同比增长36.27%；归属于上市公司股东扣非净利润8.13亿元，同比增长10.88%；新增订单76.4亿元，同比增长约52.0%

今年前三季度，中微公司归属于上市公司净利润9.13亿元，同比下降21.28%。中微公司在财报中解释，除了增加研发投入外，2023年公司出售了部分拓荆科技的股票，获得净收益约4.06亿元，而2024年无该项股权处置收益；前三季度获得了非经常性损益投资收益，较去年同期增加约1.64亿元。

前三季度，中微公司研发投入15.44亿元，同比增长95.99%，研发投入占营业收入比例为28.03%，该比例较去年同期增加8.54%。此前在接受投资者调研时，该公司表示海外大型的成熟半导体设备公司，他们的研发投入比例一般在10%~15%左右，随着收入增长，该比例将下降。

目前，中微公司的离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进制程及先进封装中,并且MOCVD设备在行业客户的生产线上大规模投入量产。

根据Gartner统计的数据，2013年至2023年，半导体前道设备中，干法刻蚀设备市场年均增速超过15%，化学薄膜设备市场年均增速超过14%，这两类设备增速远高于其他种类的半导体设备。两者在未来先进制程，3D工艺等领域发挥更加关键的作用。

中微公司认为，由于光刻机的波长限制，更微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工。同时，存储器件从2D至3D的转换的过程中，需要大量采用多层材料薄膜沉积和极高深宽比结构的刻蚀

目前，公司正在对这两大领域持续发力，其等离子刻蚀机持续获得海内外客户的认可。今年前三季度，刻蚀设备收入为44.13亿元，较上年同期增长约53.77%；刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长约54.7%。三季报显示，该公司实现在先进逻辑和存储器件制造中，关键刻蚀工艺高端产品的新增付运量显著提升，并且在先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺，和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺方面，实现量产。

中微公司还持续在CVD（化学气相沉积设备）发力，着力推进研发MOCVD设备（金属有机化合物化学气相沉积设备），布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的MOCVD市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得进展，几款已付运和即将付运的MOCVD新产品正在陆续进入市场。此外，新产品LPCVD设备（低压化学气相设备）实现首台销售，收入0.28亿元，前三季度LPCVD新增订单3.0亿元，新产品启动放量。

前三季度，公司共生产专用设备1160腔，同比增长约310%，对应产值约94.19亿元，同比增长约287%。

此外，公司EPI设备（在衬底上生长出的半导体薄膜设备）已顺利进入客户端量产验证阶段，已完成多家逻辑器件与MTM器件客户的工艺验证。