三星加码氮化镓功率半导体

根据韩媒报道，9月2日，三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。

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GaN是下一代功率半导体材料，具有比硅更好的热性能、压力耐久性和功率效率。基于这些优势，IT、电信和汽车等行业对其的需求正在增加。三星电子也注意到了GaN功率半导体行业的增长潜力，并一直在推动其进入市场。

去年6月，在美国硅谷举行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”

根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思强（Aixtron）的有机金属化学气相沉积（MOCVD）设备。该工厂负责三星电子8英寸晶圆代工，而公司GaN功率半导体工艺目前也是以8英寸为主。三星电子投资用于GaN研发的设施也位于该厂。

MOCVD是一种利用金属有机原料生长薄膜的技术。它在硅（Si）或碳化硅（SiC）晶圆上沉积GaN材料，制造GaN晶圆，发挥着关键作用。

目前，用于GaN晶圆的MOCVD设备主要由爱思强和美国Veeco两家公司供应。其中，爱思强的市场占有率极高。2023年，三星电子高管还与爱思强首席执行官（CEO）费利克斯·格拉伯特（Felix Graft）会面，双方围绕设备供应问题展开了讨论。

然而，三星电子这次进行的投资仅涉及购买1~2台爱思强的最新型MOCVD设备。目前三星电子并未在GaN领域获得大客户订单，而且公司的设备投资主要集中在HBM（高带宽内存）等部分领域。因此投资GaN被视为一种控制公司投资步伐的策略。

一位半导体业内人员说：“三星电子已经在器兴投资了GaN相关研发设施，并在今年年中引入了少量设备。但是，三星电子对早前预期的大规模量产投资采取了谨慎的态度。”

与此同时，东部高科（DB Hitech）和SK keyfoundry也在为GaN代工业务做准备。其中，DB Hitech于去年年底投资了GaN相关设施，并计划明年初开始量产；而SK keyfoundry则最早将于明年开始利用现有设备进行GaN的初步量产。

据TrendForce集邦咨询推出的《2024全球GaN Power Device市场分析报告》显示，随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源，功率GaN产业的发展将再次提速。

2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。