8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。
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资料显示，SweGaN新工厂位于瑞典林雪平，于2023年3月动工建设，可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示，旗下新工厂开始出货标志着公司从一家无晶圆厂设计厂商，正式转型为一家半导体制造商。
合作方面，今年上半年，SweGaN与未公开的电信和国防公司签订了三份重要的供货协议，使其订单量翻了一番，达到1700万瑞典克朗（折合人民币约1158万元）。近期，SweGaN还与一家器件制造商完成了首个QuanFINE外延片客户资格认证计划。
SweGaN首席执行官Jr-Tai Chen表示，目前，电信行业正大力推动从5G到5G Advanced的技术升级。SweGaN获得专利的QuanFINE无缓冲区碳化硅基氮化镓材料非常适合满足新技术的苛刻要求，尤其是在器件效率和热管理方面。材料适用于电信新标准5G Advanced，以及满足对国防应用中增强传感能力的迫切需求。
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