还分不清结型场效应管与绝缘栅？看这一文就够了，图表展现

JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。

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JFET 与 MOSFET的区别

两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。

JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而 MOSFET 通常被称为“OFF 器件”，可以在耗尽模式和增强模式下工作并具有高漏极电阻。

接下来简单的介绍一下JFET 与 MOSFET。

JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写，由栅极、源极和漏极 3 个端子组成。

在 JFET 中，电场施加在控制电流流动的栅极端子上。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比。

JFET基本上有两种类型，基本上是N沟道和P沟道。

施加在栅极到源极端子的电压允许电子从源极移动到漏极。因此，从漏极流向源极的电流称为漏极电流 I D。

当栅极端子相对于源极为负时，耗尽区的宽度增加。因此，与无偏置条件相比，允许较少数量的电子从源极移动到漏极。

JFET图

随着施加更多的负栅极电压，耗尽区的宽度将进一步增加。因此，达到了完全切断漏极电流的条件。

JFET 具有更长的寿命和更高的效率。

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写。在这里，器件的电导率也根据施加的电压而变化。

MOSFET有两种类型：耗尽型MOSFET和增强型 MOSFET

在耗尽型 MOSFET 中间存在预先构建的沟道。因此，施加的栅源电压将器件切换到关闭状态。

耗尽型 MOSFET 图

相反，在增强型MOSFET中，不存在任何预先构建的沟道。在这里，传导开始于通过施加的电压创建通道。

增强型MOSFET

在 D-MOS 中，负施加的栅极电位增加了沟道电阻，从而降低了漏极电流。相反，在 E-MOS 中，其工作需要大的正栅极电压。

与绝缘栅的区别

JFET称为结型场效应晶体管，MOSFET称为金属氧化物半导体场效应晶体管。

JFET 仅在耗尽模式下工作，MOSFET在增强模式和耗尽模式下工作。

JFET有两个PN结，MOSFET只有一个PN结。

JFET是三端器件，而MOSFET是四端器件。

JFET 不会在沟道处形成电容，而是在沟道和栅极之间的 MOSFET 电容中形成。

JFET 是一个简单的制造过程，但 MOSFET 是一个复杂的制造过程。

JFET 的电导率是由栅极的反向偏置控制的，而 MOSFET 的电导率是由沟道中感应的载流子控制的。

JEFT 是高输入阻抗，而 MOSFET 是非常高的输入阻抗。

JFET 的特性曲线更平坦，而 MOSFET 的特性曲线更平坦。

JFET 常开器件，MOSFET 常关器件。

MOSFET 有一个反向体二极管，在 JFET 中没有反向体二极管。

JFET 是高栅极电流，而 MOSFET 是低栅极电流。

JFET 是高漏极电流，但 MOSFET 是低漏极电流。

JFET 栅极与沟道不绝缘，而 MOSFET 与沟道绝缘。

在 JFET 沟道和栅极中形成两个 PN 结，但在 MOSFET 沟道和栅极中由两个并联电容组成。

在 JFET 中信号处理能力较少，在 MOSFET 信号处理能力更强。

在 JFET 制造复杂且昂贵，但 MOSFET 制造容易且便宜。

与 MOSFET 相比，JFET 具有更高的漏极电阻。

MOSFET 中的漏电流小于 JFET。

与 JFET 相比，MOSFET 更容易构建和广泛使用。

JFET多用于低噪声应用，MOSFET多用于高噪声应用。

与 MOSFET 相比，JFET 是功率分类。

JFET 的栅极裕度约为 0.1 至 10 mA/v，而 MOSFET 的栅极裕度约为 0.1 至 20 mA/v。

JFET 不如 MOSFET 受欢迎，而且如今 MOSFET 比 JFET 更广泛使用。