韩国成功研发原子层沉积技术 可减少EUV工艺步骤

韩国成功研发原子层沉积技术 可减少EUV工艺步骤
2024年07月16日 09:41 中关村在线

据韩国半导体公司周星工程最新研发出原子层沉积(ALD)技术,能够在生产先进工艺芯片中减少对极紫外光刻(EUV)工艺步骤的需求。EUV又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前广泛应用于7纳米以下的先进制程。

周星工程董事长Chul Joo Hwang表示当前DRAM和逻辑芯片的扩展已经达到了极限,因此需要像NAND一样通过堆叠晶体管的方式解决这个问题。他表示半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸,一种方案就是堆叠晶体管,其中一个证明是深紫外线(DUV)设备有望用于生产3D DRAM。

Hwang还说随着堆叠变得越来越重要,ALD机器的需求也将增加。III-V和IGZO等半导体材料的生产也需要ALD设备来实现。

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