SK 海力士正研发高带宽存储：16 层 DRAM 和 NAND 芯片层层堆叠，为手机 AI 性能加 buff

IT之家 11 月 10 日消息，据韩国“电子新闻”今日报道，高带宽内存（HBM）的发展，正在推动存储大厂 SK 海力士攻克新的性能瓶颈 —— 研发高带宽存储（HBS）。这项新技术有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的 AI 算力。

SK 海力士计划采用一种名为垂直导线扇出（VFO）的封装工艺，将最多 16 层 DRAM 与 NAND 芯片垂直堆叠，从而显著提升数据处理速度。

IT之家从报道中获悉，VFO 封装是 HBS 能否成功的关键。SK 海力士早在 2023 年就首次展示这项技术，之后随着生成式 AI 普及，HBS 正逐渐进入智能手机和平板电脑。

直线连接堆叠的 DRAM 和 NAND 芯片，VFO 取代了传统的弯曲导线连接方式，既缩短了布线距离，又减少信号损耗与延迟，并能支持更多 I/O 通道，使整体数据处理性能大幅提升。

未来 HBS 将与手机芯片组一起封装，再安装到设备主板上。外界普遍认为，骁龙 8 至尊版 Gen 6 Pro 具备同时兼容 LPDDR6 与 UFS 5.0 的能力，因此被视为 HBS 的潜在首发平台。

与 HBM 相比，HBS 无需采用硅通孔（TSV）工艺，意味着芯片制造不必穿孔，成本更低、良率更高。对于希望在设备中采用这种新型存储方案的厂商而言，这无疑是一大利好。

据悉，苹果正计划在未来的设备中使用 HBM 和 TSV，让 iPhone 能够在本地运行更复杂的 AI 模型，因此苹果开始研究 HBS 也在情理之中。